[发明专利]一种传感器件、传感器及湿度传感器件

权利要求书

1.一种传感器件，其特征在于，所述传感器件包括设置在半导体衬底上的至少一个传感器区域；其中，所述传感器区域包括设置在所述半导体衬底上的多个多晶硅垂直电极，相邻的所述多晶硅垂直电极形成传感电容，每个垂直电极作为所述传感电容的一个极板，每个传感电容的两个极板之间设置有敏感膜片，所述敏感膜片与环境具有第一接触面，透过所述第一接触面吸收环境中待检测物质后，改变所述传感电容的电容值，所述传感电容根据所述介电常数变化生成变化的电容信号； 

至少一个传导元件，贯穿所述半导体衬底，并且与所述垂直电极具有至少一个第二接触面，所述第二接触面将所述传感电容生成的所述电容信号传导给设置在半导体衬底底部的金属焊盘。 

2.如权利要求1或2所述的传感器件，其特征在于，所述垂直电极的上方设置有第一保护板，所述第一保护板与所述垂直电极之间被绝缘介质隔离。 

3.如权利要求1或2所述的传感器件，其特征在于，所述垂直电极的下方设置有第二保护板，所述第二保护板与所述垂直电极之间被绝缘介质隔离。 

4.如权利要求1至2任一项所述的传感器件，其特征在于，所述垂直电极的两侧在所述半导体衬底上设置有沟槽，所述敏感膜片由填充在所述沟槽内的环境敏感材料制成。 

5.如权利要求2所述的传感器件，其特征在于，所述第一保护板上表面涂覆有绝缘介质。 

6.如权利要求1至5任一项所述的传感器件，其特征在于，所述传导器件为垂直电馈通，所述垂直电馈通包括引线传导层、绝缘层和支撑介质，述绝缘层位于所述引线传导层和所述支撑介质之间，所述引线传导层由磷掺杂多晶硅制成，所述绝缘层由氧化硅制成，所述支撑介质为多晶硅。 

7.如权利要求1所述的传感器件，其特征在于，所述传感器件为湿度传 感器件，所述敏感膜片为可以吸收湿气的多孔电介质、多孔陶瓷、多孔金属、聚酰亚胺其中之一制成。 

8.一种传感器，其特征在于，包括至少一传感器件和处理器： 

所述传感器件包括设置在半导体衬底上的至少一个传感器区域，其中，所述传感器区域包括设置在所述半导体衬底上的多个多晶硅垂直电极，相邻的所述多晶硅垂直电极形成传感电容，每个垂直电极作为所述传感电容的一个极板，每个传感电容的两个极板之间设置有敏感膜片，所述敏感膜片与环境具有第一接触面，透过所述第一接触面吸收环境中待检测物质后，改变所述传感电容的电容值，所述传感电容根据所述介电常数变化生成变化的电容信号；以及至少一个传导元件，贯穿所述半导体衬底，并且与所述垂直电极具有至少一个第二接触面，所述第二接触面将所述传感电容生成的所述电容信号传导给设置在半导体衬底底部的金属焊盘； 

所述金属焊盘通过外接线路将所电容信号传输给所述处理器，所述处理器根据所述电容信号变化，获得所述待检测物质的参数。 

9.如权利要求7至8任一项所述的传感器件，其特征在于，所述传导器件为垂直电馈通，所述垂直电馈通包括引线传导层、绝缘层和支撑介质，所述绝缘层位于所述引线传导层和所述支撑介质之间，所述引线传导层与所述金属焊盘接触，所述引线传导层由磷掺杂多晶硅制成，所述绝缘层由氧化硅制成，所述支撑介质为多晶硅。 

10.一种湿度传感器件，其特征在于，所述湿度传感器件包括设置在半导体衬底上的至少一个传感器区域，所述传感器区域包括设置在所述半导体衬底上的多个多晶硅垂直电极，其中，相邻的所述多晶硅垂直电极形成传感电容，每个垂直电极作为所述传感电容的一个极板，每个传感电容的两个极板之间设置有湿度敏感膜片，所述敏感膜片与环境具有第一接触面，透过所述第一接触面吸收环境中湿气后，改变所述传感电容的电容值，所述传感电容根据所述介电常数变化生成变化的电容信号； 

至少一个传导元件，贯穿所述半导体衬底，并且与所述垂直电极具有至少一个第二接触面，所述第二接触面将所述传感电容生成的所述电容信号传导给设置在所述半导体衬底底部的金属焊盘。