[发明专利]一种负温度系数热敏电阻芯片、热敏电阻以及其制备方法

权利要求书

1.一种负温度系数热敏电阻芯片，由过渡金属氧化物粉末烧结而成，其特征在于：所述过渡金属氧化物粉末包括如下含量的组分：按摩尔百分比计算，30%～70%的四氧化三钴Co₃O₄，20%～60%的二氧化锰MnO₂，大于0小于等于5%的三氧化二钇Y₂O₃，5%～20%的三氧化二铬Cr₂O₃或二氧化钛TiO₂，各组分的含量之和为100%。

2.一种负温度系数热敏电阻芯片，由过渡金属氧化物粉末烧结而成，其特征在于：所述过渡金属氧化物粉末包括如下含量的组分：按摩尔百分比计算，40%～60%的四氧化三钴Co₃O₄，30%～50%的二氧化锰MnO₂，大于0小于等于5%的三氧化二钇Y₂O₃，5%～15%的三氧化二铬Cr₂O₃，以及5%～10%的二氧化钛TiO₂，各组分的含量之和为100%。

3.一种负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）混合过渡金属氧化物制得金属氧化物粉末，所述过渡金属氧化物粉末的组分以及含量为权利要求1或者2中所述的过渡金属氧化物粉末；（2）将所述金属氧化物粉末烧结成所述热敏电阻芯片。

4.根据权利要求3所述的负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中烧结的温度为1200℃～1270℃，保持所述烧结温度的时间在3～9小时。

5.根据权利要求3所述的负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）具体包括如下步骤：将所述金属氧化物粉末与有机溶剂、粘合剂按照质量百分比为1：（1.0～1.4）：（0.1～0.3）混合制成浆料；将所述浆料通过流延工艺制备成生膜片，将多层所述生膜片压叠在一起制成生胚片，将所述生胚片烧结制成所述热敏电阻芯片。

6.根据权利要求5所述的负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于：所述有机溶剂为醋酸丙酯和乙醇按质量百分比（0.5～1.5）：（1.5～2.5）混合后得到的混合物。

7.根据权利要求5所述的负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于：所述粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛。

8.一种负温度系数热敏电阻，包括负温度系数热敏电阻芯片，玻璃保护层和电极，所述玻璃保护层环绕所述负温度系数热电阻芯片四周设置，所述电极设置在所述负温度系数热电阻芯片的两端；其特征在于：所述负温度系数热敏电阻芯片为权利要求1或者2所述的热敏电阻芯片。

9.一种负温度系数热敏电阻的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：制备如权利要求1或者2所述的负温度系数热敏电阻芯片；在所述负温度系数热敏电阻芯片的除两端外的四周环绕一层含有玻璃粉的浆料，烧结所述玻璃粉浆料，制成玻璃保护层；在环绕有所述玻璃保护层的热敏电阻芯片的两端涂覆一层电极浆料，烧结所述电极浆料，制得所述热敏电阻。