[发明专利]减压干燥装置以及减压干燥方法有效
申请号: | 201310706279.0 | 申请日: | 2013-12-19 |
公开(公告)号: | CN103903959A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 柿村崇 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/027;G03F7/38 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 日本京都市上京区堀川*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 减压 干燥 装置 以及 方法 | ||
1.一种减压干燥装置,对基板进行减压干燥处理,所述基板包括第1主面及第2主面,并且在所述第1主面上涂布有包含溶剂的涂布液,所述减压干燥装置的特征在于,包括:
腔室,收纳所述基板;
支撑部,在所述腔室内以水平姿势支撑所述基板;
排气部,通过向所述腔室内开口的排气口而对所述腔室内进行排气;
供气部,通过向所述腔室内开口的供气口而对所述腔室内供气;以及
控制部,控制所述排气部的所述排气以及所述供气部的所述供气,并且
在所述供气口中,包含至少一个一侧供气口,所述至少一个一侧供气口沿规定的水平方向,从被所述支撑部支撑的所述基板的中心观察时向一侧的第1空间区域内开口,
在所述腔室内进行所述基板的减压干燥之后,所述控制部控制所述供气部而使所述腔室内压力恢复时,使用所述一侧供气口对所述腔室内供气,由此至少在所述基板的所述第1主面上形成单向气流,所述单向气流沿所述水平方向,从所述第1空间区域越过所述中心而流向另一侧的第2空间区域内。
2.根据权利要求1所述的减压干燥装置,其特征在于:关于所述腔室的内部空间,当以规定为所述压力恢复时的所述基板的高度的虚拟水平面为边界,定义出所述第1主面侧的第1部分空间与所述第2主面侧的第2部分空间时,所述一侧供气口设置于所述第2部分空间,并且向所述第1部分空间开口。
3.根据权利要求2所述的减压干燥装置,其特征在于:所述排气口设置于所述第2部分空间,所述一侧供气口在水平面观察时,在较所述排气口更靠所述腔室的侧壁侧开口,在结束所述减压干燥而转入至所述压力恢复时,所述控制部控制所述供气部以及所述排气部的动作顺序,以成为如下时序关系:在所述排气口位置的排气压消失之前,在所述一侧供气口的位置的供气压上升。
4.根据权利要求2所述的减压干燥装置,其特征在于:所述一侧供气口在水平面观察时,在较所述压力恢复时的所述基板的存在位置更靠所述腔室的侧壁侧开口,并且朝向从垂直轴往所述基板侧倾斜的方向开口。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的减压干燥装置,其特征在于:所述一侧供气口形成为沿与所述水平方向正交的方向排列的多个点状的开口。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的减压干燥装置,其特征在于:所述一侧供气口形成为沿与所述水平方向正交的方向延伸的狭缝状的开口。
7.一种减压干燥方法,对基板进行减压干燥处理,所述基板包括第1主面及第2主面,并且在所述第1主面上涂布有包含溶剂的涂布液,所述减压干燥方法的特征在于,包括:
减压步骤,对以水平姿势收纳有所述基板的腔室内进行减压;以及
压力恢复步骤,在所述减压步骤之后,使所述腔室内压力恢复,并且
在所述压力恢复步骤中,至少在所述基板的所述第1主面上形成单向气流,所述单向气流在所述腔室内,沿规定的水平方向,从所述基板的中心观察时从一侧的第1空间区域越过所述中心而流向另一侧的第2空间区域内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造