[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上依次沉积像素电极薄膜和有源层薄膜；

通过一次构图工艺形成包括像素电极和薄膜晶体管有源层的图形。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述形成包括像素电极和薄膜晶体管有源层的图形，采用半色调掩膜板或灰度掩膜板。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有源层的材料为氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟镓锡中的任意一种。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成包括像素电极和薄膜晶体管有源层的图形之后还包括：

形成栅极绝缘层；

在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管栅极的图形；

在完成上述步骤的基底上，形成平坦化层；

在完成上述步骤的基底上，通过一次刻蚀工艺，形成贯穿平坦化层、栅极绝缘层的第一接触过孔和第二接触过孔；

在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管源极和漏极的图形，所述第一接触过孔用于将薄膜晶体管的源、漏极分别与有源层连接，所述第二接触过孔用于将薄膜晶体管漏极与像素电极连接。

5.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成包括像素电极和薄膜晶体管有源层的图形之前还包括：

在基底上通过构图工艺形成包括薄膜晶体管栅极的图形；

在完成上述步骤的基底上，形成栅极绝缘层。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成包括像素电极和薄膜晶体管有源层的图形之后还包括：

在基底上形成平坦化层；

在完成上述步骤的基底上，通过一次刻蚀工艺，形成贯穿平坦化层的第一接触过孔和第二接触过孔；

在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管源极和漏极的图形，所述第一接触过孔用于将薄膜晶体管的源、漏极分别与有源层连接，所述第二接触过孔用于将薄膜晶体管漏极与像素电极连接。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有源层的材料为非晶硅。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成包括像素电极和薄膜晶体管有源层的图形之后还包括：

形成栅极绝缘层；

在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管栅极的图形；

在完成上述步骤的基底上，形成平坦化层；

在完成上述步骤的基底上，通过一次刻蚀工艺，形成贯穿平坦化层、栅极绝缘层的第一接触过孔和第二接触过孔；

在完成上述步骤的基底上，依次通过构图工艺形成包括欧姆接触层、源极和漏极的图形，所述第一接触过孔用于将薄膜晶体管的源、漏极分别与有源层电连接，所述第二接触过孔用于将薄膜晶体管漏极与像素电极电连接。

9.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成包括像素电极和薄膜晶体管有源层的图形之前还包括：

在基底上形成栅极金属薄膜，并通过构图工艺形成包括薄膜晶体管栅极的图形；

在完成上述步骤的基底上，形成栅极绝缘层。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成包括像素电极和薄膜晶体管有源层的图形之后还包括：

在基底上形成平坦化层；

在完成上述步骤的基底上，通过一次刻蚀工艺，形成贯穿平坦化层，用于将薄膜晶体管的源、漏极分别与有源层连接的第一接触过孔和用于将薄膜晶体管漏极与像素电极连接的第二接触过孔；

在完成上述步骤的基底上，依次形成欧姆接触薄膜和源漏金属薄膜，并通过构图工艺形成包括欧姆接触层、源极和漏极的图形。

11.一种阵列基板，包括薄膜晶体管区和显示区，其特征在于，所述薄膜晶体管区包括薄膜晶体管和像素电极，所述显示区包括像素电极，所述薄膜晶体管区的像素电极与所述显示区的像素电极同层设置且两者断开，所述薄膜晶体管的有源层设置在所述薄膜晶体管区的像素电极上方。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11所述的阵列基板。