[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠于基板上的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层，其特征在于，所述电子注入层包括依次层叠于所述电子传输层上的富勒烯掺杂层、二氧化钛掺杂层及富勒烯衍生物层，所述阴极层层叠于所述富勒烯衍生物层上，所述富勒烯掺杂层的材料包括第一富勒烯衍生物及掺杂于所述第一富勒烯衍生物中的锂盐，所述二氧化钛掺杂层的材料包括二氧化钛及掺杂于所述二氧化钛中的噻吩化合物，所述富勒烯衍生物层的材料为第二富勒烯衍生物，所述第一富勒烯衍生物与所述第二富勒烯衍生物分别选自足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯及[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯中的一种。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述富勒烯掺杂层的材料中所述锂盐与所述第一富勒烯衍生物的质量比为0.1:1～0.4:1。

3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述锂盐为氧化锂、氟化锂、氯化锂或溴化锂。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述二氧化钛掺杂层的材料中所述二氧化钛与所述噻吩化合物的质量比为20:1～40:1。

5.根据权利要求1或4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述噻吩化合物为3-甲基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩。

6.根据权利要求1或4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述二氧化钛的粒径为20纳米～50纳米。

7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述富勒烯掺杂层的厚度为15纳米～30纳米；所述二氧化钛掺杂层的厚度为20纳米～50纳米；所述富勒烯衍生物层的厚度为50纳米～70纳米。

8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述基板为玻璃；

所述阳极层的材料为铟锡氧化物薄膜、掺铝的氧化锌薄膜或掺铟的氧化锌薄膜，所述阳极层的厚度为50纳米～300纳米；

所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨、或五氧化二钒，所述空穴注入层的厚度为20纳米～80纳米；

所述空穴传输层的材料为1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N'-（1-萘基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺，所述空穴传输层的厚度为20纳米～60纳米；

所述发光层的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝，所述发光层的厚度为5纳米～40纳米；

所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑，所述电子传输层的厚度为40纳米～250纳米；

所述阴极层的材料为银、铝、铂或金，所述阴极层的厚度为80纳米～250纳米。

9.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板，在所述基板上磁控溅射制备阳极层；

在所述阳极层上真空蒸镀制备空穴注入层；

在所述空穴注入层上真空蒸镀制备空穴传输层；

在所述空穴传输层上真空蒸镀制备发光层；

在所述发光层上真空蒸镀制备电子传输层；

在所述电子传输层上热阻蒸镀制备富勒烯掺杂层，在所述富勒烯掺杂层上电子束蒸镀制备二氧化钛掺杂层，在所述二氧化钛掺杂层上热阻蒸镀富勒烯衍生物层，得到层叠于所述电子传输层上的电子注入层，其中，所述富勒烯掺杂层的材料包括第一富勒烯衍生物及掺杂于所述第一富勒烯衍生物中的锂盐，所述二氧化钛掺杂层的材料包括二氧化钛及掺杂于所述二氧化钛中的噻吩化合物，所述富勒烯衍生物层的材料为第二富勒烯衍生物，所述第一富勒烯衍生物与所述第二富勒烯衍生物分别选自足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯及[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯中的一种；及

在所述富勒烯衍生物层上真空蒸镀制备阴极层。

10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在所述基板上磁控溅射制备所述阳极层之前，还包括对所述基板的清洗步骤：将所述基板依次用蒸馏水、乙醇清洗，然后于异丙醇中浸泡。