[发明专利]一种制备图形化多孔硅结构的方法无效
| 申请号： | 201310706907.5 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103641063A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 赵永梅;杨香;季安;张明亮;韩国威;宁瑾;王晓东;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 图形 多孔 结构 方法 | ||
1.一种制备图形化多孔硅结构的方法，其特征在于，包括：
步骤1：在硅片上依次淀积氧化硅和氮化硅，形成双层掩膜结构；
步骤2：在硅片上双层掩膜结构的表面定义氮化硅／氧化硅掩膜图形窗口区域，然后采用干法刻蚀依次去掉该图形窗口区域中的氮化硅和氧化硅层，露出硅片的表面；
步骤3：对露出的硅片表面进行湿法腐蚀，形成硅腔结构；
步骤4：采用水热腐蚀方法在硅腔结构内形成多孔硅层，完成图形化多孔硅结构的制备。
2.根据权利要求1所述的制备图形化多孔硅结构的方法，其特征在于，步骤1中所述硅片采用单晶硅层。
3.根据权利要求1所述的制备图形化多孔硅结构的方法，其特征在于，步骤1中所述双层掩膜结构中的氧化硅是采用热氧化方法、等离子体化学气相沉积方法、溅射方法或低压化学气相沉积方法，在硅片的一面或双面形成的。
4.根据权利要求1所述的制备图形化多孔硅结构的方法，其特征在于，步骤1中所述双层掩膜结构中的氮化硅是采用低压化学气相沉积方法、等离子体化学气相沉积方法或溅射方法在氧化硅上形成的。
5.根据权利要求1所述的制备图形化多孔硅结构的方法，其特征在于，步骤1中所述双层掩膜结构中的氮化硅是单层氮化硅，或者是富氮、富硅的氮化硅层的组合。
6.根据权利要求1所述的制备图形化多孔硅结构的方法，其特征在于，步骤2中所述在硅片上双层掩膜结构的表面定义氮化硅／氧化硅掩膜图形窗口区域是采用光刻技术实现的。
7.根据权利要求1所述的制备图形化多孔硅结构的方法，其特征在于，步骤4中所述多孔硅层是采用水热腐蚀方法制备的，水热腐蚀时通过由光刻和刻蚀技术定义的氮化硅／氧化硅掩膜图形来形成。
8.根据权利要求1所述的制备图形化多孔硅结构的方法，其特征在于，步骤4中所述多孔硅层的厚度为0～100μm，图形尺寸在nm到mm量级。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310706907.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于基因检测的质量型传感器及其制备方法和应用
- 下一篇：仰角式三相分离器
