[发明专利]一种抗击穿抗氧化复合聚乙烯电容器金属化薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201310707862.3 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN103804751A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 韦中祥 | 申请(专利权)人: | 芜湖金鹰机械科技开发有限公司 |
主分类号: | C08L23/06 | 分类号: | C08L23/06;C08K13/02;C08K5/20;C08K5/05;C08K5/42;C08K5/544;C08K5/13;B29C69/02;B29C55/14;B29C71/00 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 方琦 |
地址: | 241000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抗击 氧化 复合 聚乙烯 电容器 金属化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电容器制造领域,特别是一种抗击穿抗氧化复合聚乙烯电容器金属化薄膜及其制备方法。
背景技术
薄膜电容器是以金属箔当电极,将其和聚乙酯,聚丙烯,聚笨乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,从两端重叠后,卷绕成圆筒状的构造之电容器 ;在所有的塑料薄膜电容当中,聚丙烯(PP)电容和聚苯乙烯(PS)电容的特性最为显著,当然这两种电容器的价格也比较高,电容器的薄膜质量直接影响电容器的使用寿命和产品性能,电容器薄膜的需求量大、种类多,采用单一原料生产的薄膜很难适应市场的要求,但每种原料都有其不足之处,所以生产出来的薄膜很难满足各种情况的需求。
发明内容
本发明的目的是提供一种抗击穿抗氧化复合聚乙烯电容器金属化薄膜及其制备方法。
为了实现本发明的目的,本发明通过以下方案实施:
一种抗击穿抗氧化复合聚乙烯电容器金属化薄膜,由下列重量份的原料制成:茂金属线性低密度聚乙烯100-110、中密度聚乙烯80-90、低密度聚乙烯20-23、N-羟甲基丙烯酰胺1-2、薄荷醇2-3、扩散剂NNO1-2、二辛基琥珀酸磺酸钠3-4、3-氨丙基三甲氧基硅烷1-2、交联剂 TAC 0.5-1、助剂5-6;
所述助剂由下列重量份的原料制成:茂金属线性低密度聚乙烯12-15、硅烷偶联剂KH-550 1-2、2,6- 二叔丁基对甲酚1-2、椴木灰烬1-2、当归油1-2;制备方法是将茂金属线性低密度聚乙烯加热至熔融状态,加入其它成分,搅拌分散均匀,冷却,造粒,即得。
本发明所述抗击穿抗氧化复合聚乙烯电容器金属化薄膜,由以下具体步骤制成:
(1)将茂金属线性低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、N-羟甲基丙烯酰胺加热熔融,再加入助剂以及其余剩余成分充分搅拌,送入挤出机熔融、过滤,然后再通过挤出机挤出片状熔体,过滤>1200目,所述挤出机的温度为220-260℃;
(2)将步骤(1)制成的片状熔体通过激冷辊及风淋室冷却定型后制得铸片,依次进行纵向拉伸、横向拉伸、粗化面电晕处理;
(3)收卷、第一次时效处理、第二次时效处理;
(4)真空蒸发金属化膜,粗化面形成金属化层。
本发明加工工艺简单,并且用其制作的薄膜电容器接触电阻小,从而使得产品特性好;本发明添加助剂,增强了薄膜的阻隔性和气密性,从而改变了耐压不足以及表面氧化造成的报废,防止击穿,节约成本,延长了使用寿命。
具体实施方式
下面通过具体实例对本发明进行详细说明。
一种抗击穿抗氧化复合聚乙烯电容器金属化薄膜,由下列重量份(公斤)的原料制成:茂金属线性低密度聚乙烯100、中密度聚乙烯80、低密度聚乙烯20、N-羟甲基丙烯酰胺1、薄荷醇2、扩散剂NNO1、二辛基琥珀酸磺酸钠3、3-氨丙基三甲氧基硅烷1、交联剂 TAC 0.5、助剂5;
所述助剂由下列重量份(公斤)的原料制成:茂金属线性低密度聚乙烯12、硅烷偶联剂KH-550 1、2,6- 二叔丁基对甲酚2、椴木灰烬1、当归油2;制备方法是将茂金属线性低密度聚乙烯加热至熔融状态,加入其它成分,搅拌分散均匀,冷却,造粒,即得。
本发明所述抗击穿抗氧化复合聚乙烯电容器金属化薄膜,由以下具体步骤制成:
(1)将茂金属线性低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、N-羟甲基丙烯酰胺加热熔融,再加入助剂以及其余剩余成分充分搅拌,送入挤出机熔融、过滤,然后再通过挤出机挤出片状熔体,过滤>1200目,所述挤出机的温度为220-260℃;
(2)将步骤(1)制成的片状熔体通过激冷辊及风淋室冷却定型后制得铸片,依次进行纵向拉伸、横向拉伸、粗化面电晕处理;
(3)收卷、第一次时效处理、第二次时效处理;
(4)真空蒸发金属化膜,粗化面形成金属化层。
本发明实施例的金属化薄膜的技术指标如下 :
(1)横向收缩率≤ 0.2%、纵向收缩率≤ 2.5%
(2)横向拉伸强度≥ 19Mpa、纵向拉伸强度≥ 13Mpa ;
(3)最小击穿电压 604Vv/um 。
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