[发明专利]一种具有补偿极化效应的量子阱结构有效
| 申请号： | 201310708760.3 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104733574B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 陈振 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 补偿 极化 效应 量子 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有补偿极化效应的量子阱结构，包括：由GaN基半导体化合物构成的多量子阱有源层；两个位于所述有源层两侧具有比有源层更高的导带能量和更低的价带能量的势垒层；其特征在于所述有源层的导带能量逐渐减小，价带能量逐渐增加；
所述有源层由In1-xGaxN构成，预定成分是In，且0<x<1；有源层的导带能量由于预定成分的含量变化逐渐减小，有源层的价带能量由于预定成分的含量变化逐渐增加。
2.根据权利要求1所述的具有补偿极化效应的量子阱结构，其特征在于所述势垒层由In1-xGaxN构成，其中0<x<1。
3.根据权利要求1所述的具有补偿极化效应的量子阱结构，其特征在于所述有源层的能量带隙在1.59eV至3.26eV之间。
4.根据权利要求1所述的具有补偿极化效应的量子阱结构，其特征在于所述量子阱结构是在MOCVD中生长的。
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