[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在衬底基板上依次形成第一金属层、第一钝化层，通过第一构图工艺在第一金属层上形成源极、漏极和数据线，并同时在第一钝化层上形成第一钝化层过孔；

所述第一钝化层采用氮化硅材料形成；

所述通过第一构图工艺在第一金属层上形成源极、漏极和数据线，并在第一钝化层上形成第一钝化层过孔包括：

在所述第一钝化层上涂覆光刻胶，掩模后进行曝光、显影，对所述第一钝化层进行刻蚀，形成第一钝化层过孔的第一部分，露出第一金属层；再对所述第一金属层进行刻蚀，形成源极、漏极和数据线；接着对所述光刻胶进行灰化，露出第一钝化层过孔的第二部分位置处的氮化硅；再对所述第一钝化层过孔的第二部分位置处的氮化硅进行刻蚀以形成第一钝化层过孔的第二部分；

并且，所述方法还包括在所述形成第一金属层、第一钝化层之前，通过第二构图工艺形成有源层；

其中，所述有源层为包括非晶硅薄膜和掺杂硅薄膜的双层薄膜或包括金属氧化物半导体薄膜和掺杂硅薄膜的双层薄膜；

其中，所述掺杂硅薄膜和氮化硅的刻蚀选择比为1:7。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在第一构图工艺中，在所述对第一钝化层过孔的第二部分位置处的氮化硅进行刻蚀的同时，对所述掺杂硅薄膜与源极和漏极之间的沟道相对应的位置进行刻蚀。

3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，还包括：

在衬底基板上形成第二金属层，通过第三构图工艺形成栅极和栅线；

在所述第二金属层之上，在形成有源层之前形成栅绝缘层，通过第四构图工艺在所述栅绝缘层上与位于基板周边的驱动薄膜晶体管位置处的所述栅线对应的位置处形成栅绝缘层过孔；

在形成有所述第二金属层、栅绝缘层、有源层、第一金属层和第一钝化层的基板上通过第五构图工艺形成像素电极；

在所述第一钝化层和像素电极之上，形成第二钝化层，并在所述第二钝化层上与第一钝化层过孔的第一部分和第二部分相对应的位置处通过第六构图工艺形成第二钝化层过孔；

在形成有所述第二钝化层的基板上通过第七构图工艺形成公共电极。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第二金属层所采用的金属包括铜、钼铝钼或者铝钼；所述第一金属层所采用的金属包括铜，钼铝钼或者铝钼；所述第二钝化层为氮化硅薄膜、氧化硅薄膜或氮化硅与氧化硅的双层薄膜。