[发明专利]成膜方法

权利要求书

1.一种成膜方法，在该成膜方法中，使用成膜装置在多个基板上形成含有规定的第1元素和第2元素的氧化膜，上述成膜装置包括：旋转台，其以能够旋转的方式收纳在腔室内，并具有能够在上表面载置多个基板的载置部；第1处理区域，其被划分在上述旋转台的上述上表面的上方，具有用于朝向上述旋转台的上述上表面供给气体的第1气体供给部；第2处理区域，其以沿着上述旋转台的周向与上述第1处理区域分开的方式配置，具有用于对上述旋转台的上述上表面供给气体的第2气体供给部；以及分离区域，其设于上述第1处理区域与上述第2处理区域之间，具有分离气体供给部和顶面，该分离气体供给部用于对上述旋转台的上述上表面供给分离气体，该顶面与上述旋转台的上述上表面之间形成有用于将来自该分离气体供给部的上述分离气体向上述第1处理区域和上述第2处理区域引导的狭窄空间，其中，

该成膜方法包括以下工序：

第1工序，在自上述第1气体供给部和上述分离气体供给部供给上述分离气体并自上述第2气体供给部供给氧化气体的状态下使上述旋转台旋转至少1周；

第2工序，在自上述第1气体供给部供给含有上述第1元素的第1反应气体、自上述第2气体供给部供给氧化气体并自上述分离气体供给部供给上述分离气体的状态下使上述旋转台旋转第1规定周数，从而在上述基板上形成含有上述第1元素的第1氧化膜；

第3工序，在自上述第1气体供给部和上述分离气体供给部供给上述分离气体并自上述第2气体供给部供给上述氧化气体的状态下使上述旋转台旋转至少1周；以及

第4工序，在自上述第1气体供给部供给含有上述第2元素的第2反应气体、自上述第2气体供给部供给上述氧化气体并自上述分离气体供给部供给上述分离气体的状态下使上述旋转台旋转第2规定周数，从而在上述基板上形成含有上述第2元素的第2氧化膜。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

以上述第1工序～第4工序为1个循环，以规定次数反复进行该循环而形成上述第1氧化膜和上述第2氧化膜的层压构造。

3.根据权利要求2所述的成膜方法，其中，

在以上述规定次数反复进行上述循环之后，进行上述第1工序和第2工序，接着，进行第5工序和第6工序，

在第5工序中，在自上述第1气体供给部和上述分离气体供给部供给上述分离气体并自上述第2气体供给部供给上述氧化气体的状态下使上述旋转台旋转至少1周，

在第6工序中，在自上述第1气体供给部和上述分离气体供给部供给上述分离气体并自上述第2气体供给部供给非活性气体的状态下使上述旋转台旋转规定周数。

4.根据权利要求3所述的成膜方法，其中，

上述第5工序进行的时间长于上述第1工序进行的时间和第3工序进行的时间。

5.根据权利要求2所述的成膜方法，其中，

在以上述规定次数反复进行上述循环之后，进行第5工序和第6工序，

在第5工序中，在自上述第1气体供给部和上述分离气体供给部供给上述分离气体并自上述第2气体供给部供给上述氧化气体的状态下使上述旋转台旋转至少1周，

在第6工序中，在自上述第1气体供给部和上述分离气体供给部供给上述分离气体并自上述第2气体供给部供给非活性气体的状态下使上述旋转台旋转规定周数。

6.根据权利要求5所述的成膜方法，其中，

上述第5工序进行的时间长于上述第1工序进行的时间和第3工序进行的时间。

7.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

上述第1规定周数多于上述第2规定周数，上述第1氧化膜形成得厚于上述第2氧化膜。

8.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

上述第1元素和第2元素是金属元素或半导体元素。

9.根据权利要求8所述的成膜方法，其中，

上述金属元素是Hf、Zr、Al、Ti、Sr中的任意一种元素，上述半导体元素是Si。

10.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

上述氧化气体是O₃气体。

11.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

上述分离气体是非活性气体。