[发明专利]有机发光装置在审
| 申请号： | 201310712107.4 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103915476A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 姜真求;申荣训 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光 装置 | ||
1.一种有机发光装置，该有机发光装置包括：
第一基板；
薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层形成在所述第一基板上；
发光二极管层，该发光二极管层形成在所述薄膜晶体管层上；以及
钝化层，该钝化层形成在所述发光二极管层上，所述钝化层包括第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜，
其中，所述第一无机绝缘膜中含有的H含量小于所述第二无机绝缘膜中含有的H含量。
2.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一无机绝缘膜中含有的H含量大于10%且小于30%。
3.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第二无机绝缘膜中含有的H含量大于30%且小于40%。
4.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一无机绝缘膜和所述第二无机绝缘膜各包括SiNx、SiOx、SiON或AlOx。
5.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一无机绝缘膜和所述第二无机绝缘膜由彼此相同的材料制成。
6.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一无机绝缘膜的厚度与所述第二无机绝缘膜的厚度之比在2:8至8:2的范围。
7.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一无机绝缘膜形成在所述发光二极管层上，并且所述第二无机绝缘膜形成在所述第一无机绝缘膜上。
8.根据权利要求7所述的有机发光装置，其中，在所述第二无机绝缘膜上还形成有第三无机绝缘膜，并且所述第三无机绝缘膜中含有的H含量大于10%且小于30%。
9.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第二无机绝缘膜形成在所述发光二极管层上，并且所述第一无机绝缘膜形成在所述第二无机绝缘膜上。
10.根据权利要求9所述的有机发光装置，其中，在所述第一无机绝缘膜上还形成有第三无机绝缘膜，并且所述第三无机绝缘膜中含有的H含量大于30%且小于40%。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
