[发明专利]晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成有第一栅极、位于所述第一栅极两侧基底中的第一源极、第一漏极；其中，在所述基底上形成第一栅极时，在所述基底上形成第二栅极；

在所述第一源极、第一漏极上形成金属硅化物；

形成刻蚀阻挡层和位于所述刻蚀阻挡层上的第一介质层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述基底、第一栅极和金属硅化物，所述第一介质层高于所述第一栅极上的刻蚀阻挡层部分；

去除高出所述第一栅极上表面的第一介质层和刻蚀阻挡层，至所述第一栅极上表面和第一介质层上表面持平；

在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层覆盖第一栅极；

刻蚀所述第一介质层、第二介质层和刻蚀阻挡层，形成连通金属硅化物的接触孔，在刻蚀所述刻蚀阻挡层的条件下，刻蚀阻挡层相比金属硅化物具有高刻蚀选择比，不会刻蚀金属硅化物。

2.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一栅极为前栅工艺形成的栅极。

3.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一栅极为后栅工艺形成的金属栅极。

4.如权利要求3所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述金属栅极、第一源极和第一漏极的形成方法包括：

在所述基底上形成伪栅极；

在所述伪栅极两侧基底中形成第一源极、第一漏极；

在所述基底上形成第三介质层，所述第三介质层覆盖所述基底和伪栅极，所述第三介质层上表面和伪栅极上表面持平；

去除所述伪栅极形成伪栅沟槽，之后在所述伪栅沟槽中形成金属栅极；

去除所述第三介质层。

5.如权利要求4所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述金属硅化物的形成方法包括：

在形成所述第一源极、第一漏极后，在所述第一源极、第一漏极上形成硅帽，所述第三介质层覆盖所述硅帽；

在去除所述第三介质层后，对所述硅帽进行金属硅化处理形成金属硅化物。

6.如权利要求4所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述金属硅化物的形成方法包括：

在去除所述第三介质层后，在所述第一源极、第一漏极上形成硅帽；

对所述硅帽进行金属硅化处理形成金属硅化物。

7.如权利要求4所述的晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述第一源极、第一漏极的方法包括：

在所述伪栅极两侧基底中形成凹槽；

在所述凹槽中外延生长半导体材料层；

所述半导体材料层具有掺杂，具有掺杂的半导体材料层分别作为第一源极、第一漏极。

8.如权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，在所述凹槽中外延生长半导体材料层后，对所述半导体材料层进行离子注入，或者在外延生长半导体材料层时，对所述半导体材料层进行原位离子注入。

9.如权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，当所述晶体管为P型晶体管，所述凹槽为sigma形凹槽；当所述晶体管为N型晶体管，所述凹槽为U形凹槽。

10.如权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，当所述晶体管为P型晶体管，所述半导体材料为锗硅；当所述晶体管为N型晶体管，所述半导体材料为碳硅。

11.如权利要求5或6所述的晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述硅帽的方法为外延生长。

12.如权利要求5或6所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述硅帽的厚度范围为

13.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述金属硅化物中的金属为镍、钴或钛。