[发明专利]通过热处理和/或溶剂处理恢复多孔电介质k值

权利要求书

1.一种用于在多孔低k电介质层下的衬底上形成半导体设备的方法，其中，将特征形成在所述多孔低k电介质层中，且其中，使障碍层形成在所述多孔低k电介质层上，所述方法包括：

在所述特征中形成触点；

将所述障碍层平面化；

在所述触点上形成盖层，其中，所述形成所述盖层在所述多孔低k电介质层中提供金属污染物和有机污染物；

用第一湿法工艺从所述多孔低k电介质层去除所述金属污染物；以及

用第二湿法工艺从所述多孔低k电介质层去除所述有机污染物以便恢复所述多孔低k电介质层的k值，

所述特征包括沟槽或者通孔。

2.如权利要求1所述的方法，还包括在从所述多孔低k电介质层去除所述金属和有机污染物之后，将所述衬底退火。

3.如权利要求2所述的方法，其中，从所述多孔低k电介质层去除所述有机污染物包括提供DMSO或IPA中的至少一种的溶剂。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述形成所述盖层包括使用湿法工艺或干燥工艺。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述将所述衬底退火包括将所述衬底加热至介于90℃与400℃之间的温度。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述从所述多孔低k电介质层去除所述金属污染物包括使用柠檬酸。

7.如权利要求5所述的方法，其中，所述从所述多孔低k电介质层去除所述金属污染物包括使用草酸。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述触点包括铜层。

9.如权利要求8所述的方法，还包括：

将所述铜层平面化。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述障碍层和所述铜层被同时平面化。

11.如权利要求1所述的方法，还包括：

从所述多孔低k电介质层去除湿气。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述多孔低k电介质层是多孔有机硅酸盐玻璃。

13.如权利要求1所述的方法，其中，使用化学铜沉积或者电镀中的至少一种来形成所述触点。

14.如权利要求1所述的方法，其中，从所述多孔低k电介质层去除所述有机污染物包括提供DMSO或IPA中的至少一种的溶剂。

15.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成所述盖层包括使用湿法工艺或干燥工艺。

16.如权利要求2所述的方法，其中，所述将所述衬底退火包括将所述衬底加热至介于90℃与400℃之间的温度。

17.如权利要求1所述的方法，其中，所述多孔低k电介质层包括具有小于2.7的介电常数的多孔低k电介质材料。

18.一种用于在多孔低k电介质层下的衬底上形成半导体设备的方法，其中，将特征形成在所述多孔低k电介质层中，且其中，将障碍层形成在所述多孔低k电介质层上，所述方法包括：

在所述特征中形成触点；

将所述障碍层平面化；

在所述触点上形成盖层以改善所述触点的可靠性，其中，所述形成所述盖层在所述多孔低k电介质层中提供金属污染物和有机污染物；以及

从所述多孔低k电介质层去除所述金属污染物和所述有机污染物以便恢复所述多孔低k电介质层的k值，

所述特征包括沟槽或者通孔。