[发明专利]金属互连结构的制作方法在审
| 申请号： | 201310713456.8 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104733376A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 施京美;张校平;代大全 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 制作方法 | ||
1.一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述金属互连结构的制作方法至少包括：
提供半导体衬底；
利用沉积、光刻和等离子刻蚀工艺在所述半导体衬底上形成由钨插塞和铝布线构成的金属互连结构；
利用灰化法去除金属互连结构上光刻胶残渣；
利用紫外线照射所述金属互连结构；
利用有机溶剂清洗被紫外线照射后的所述金属互连结构。
2.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于：形成所述金属互连结构的步骤至少包括：
利用沉积工艺在所述半导体衬底上形成层间介质层；
利用光刻和等离子刻蚀工艺在所述层间介质层中形成通孔；
在所述通孔中形成钨插塞；
在所述层间介质层和钨插塞上形成铝金属层；
利用光刻和等离子刻蚀工艺将所述铝金属层形成铝布线，所述铝布线与所述钨插塞的顶部连接。
3.根据权利要求2所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于：所述铝布线的宽度和所述钨插塞的直径相同。
4.根据权利要求2所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于：利用O2进行所述利用灰化法去除金属互连结构上光刻胶残渣的步骤。
5.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于：在所述利用紫外线照射所述金属互连结构的步骤中，设置所述紫外线的波长为300nm，光照强度为180mw/cm2～305mw/cm2，照射时间为200s～240s。
6.根据权利要求1所述的金属互连结构的形成方法，其特征在于：所述有机溶剂为含铵离子的有机溶剂。
7.根据权利要求1所述的金属互连结构的形成方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底、锗硅衬底、金刚石衬底或砷化镓衬底。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310713456.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
