[发明专利]基于偶极子阵列的低剖面电路模拟吸收体

权利要求书

1.一种低剖面电路模拟吸收体，其特征在于，包括若干吸收体单元，上述吸收体单元以方形栅格形式二维周期排布，构成阵列，每个吸收体单元均包括偶极子[1]、薄膜贴片电阻[2]、上层介质基板[3]、方型金属贴片[4]、下层介质基板[5]、金属板[6]、第一金属化通孔[7]、第二金属化通孔[8]；

下层介质基板[5]的底部设置金属板[6]，下层介质基板[5]上表面中部设置方型金属贴片[4]，下层介质基板[5]上开有第一金属化通孔[7]、第二金属化通孔[8]，该两个金属化通孔位于方型金属贴片[4]的两侧，下层介质基板[5]的上方设置上层介质基板[3]，上层介质基板[3]的上表面中部设置偶极子[1]，偶极子[1]的中部设置薄膜贴片电阻[2]，偶极子[1]的延伸方向与两个金属化通孔圆心连线相平行。

2.根据权利要求1所述的低剖面电路模拟吸收体，其特征在于，上层介质基板[3]与下层介质基板[5]的介电常数ε_r均为2.2～10.2；双层介质基板的总厚度为其中λ₀为在自由空间的波长，其中下层介质基板[5]的厚度为0.5mm～1mm。

3.根据权利要求2所述的低剖面电路模拟吸收体，其特征在于，上层介质基板[3]与下层介质基板[5]的介质材料相同。

4.根据权利要求1或2所述的低剖面电路模拟吸收体，其特征在于，方型金属贴片[4]的边长为其中N为[0.75,0.80]，λ₀为在自由空间的波长，ε_r为介电常数，两个金属化通孔的直径均为0.5mm。

5.根据权利要求1或2所述的低剖面电路模拟吸收体，其特征在于，偶极子[1]的宽度为其长度的三十分之一，为

6.根据权利要求1或2所述的低剖面电路模拟吸收体，其特征在于，薄膜贴片电阻[2]的阻值大于偶极子[1]的输入阻抗值。

7.根据权利要求1或2所述的低剖面电路模拟吸收体，其特征在于，相邻两个吸收体单元之间的宽度为λ₀为在自由空间的波长，ε_r为介电常数。