[发明专利]成膜方法

权利要求书

1.一种成膜方法，在该成膜方法中使用成膜装置在多个基板上形成含有规定元素的氧化膜，该成膜装置包括：

旋转台，其能旋转地收容于腔室内，具有能够将多个基板载置于上表面的载置部；

第1处理区域，其被划分在上述旋转台的上述上表面的上方，具有用于向上述旋转台的上述上表面供给气体的第1气体供给部；

第2处理区域，其配置为沿着上述旋转台的周向与上述第1处理区域分开，具有用于向上述旋转台的上述上表面供给气体的第2气体供给部；以及

分离区域，其设置于上述第1处理区域和上述第2处理区域之间，具有分离气体供给部和顶面，该分离气体供给部用于向上述旋转台的上述上表面供给分离气体，该顶面与上述旋转台的上述上表面之间形成有用于将来自该分离气体供给部的上述分离气体向上述第1处理区域和上述第2处理区域引导的狭窄的空间，其中，该成膜方法包括以下工序：

第1工序：在自上述第1气体供给部和上述分离气体供给部供给上述分离气体、自上述第2气体供给部供给氧化气体的状态下，使上述旋转台旋转至少一周；

第2工序：在自上述第1气体供给部供给含有上述规定的元素的反应气体、自上述第2气体供给部供给上述氧化气体、自上述分离气体供给部供给上述分离气体的状态下，使上述旋转台旋转规定周数，从而在上述基板上形成含有上述规定的元素的氧化膜；以及

第3工序：在自上述第1气体供给部和上述分离气体供给部供给上述分离气体、自上述第2气体供给部供给上述氧化气体的状态下，使上述旋转台旋转至少一周。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

上述规定周数是形成所希望的膜厚的、含有上述规定的元素的氧化膜所需的旋转周数。

3.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

上述氧化气体是臭氧气体。

4.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

上述规定的元素是金属元素或者半导体元素。

5.根据权利要求4所述的成膜方法，其中，

上述金属元素是铪、锆、铝、钛、锶中的任意一种，

上述半导体元素是硅。

6.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

上述分离气体是非活性气体。

7.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

进行上述第3工序的时间比进行上述第1工序的时间长。

8.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

该成膜方法还具有如下的工序：

在上述第1工序之前以及上述第3工序之后，在自上述第1气体供给部供给非活性气体、并且自上述第2气体供给部和上述分离气体供给部供给上述分离气体的状态下，使上述旋转台旋转。

9.根据权利要求8所述的成膜方法，其中，

上述非活性气体与上述分离气体是相同的气体。