[发明专利]磁性结和磁存储器以及用于提供磁性结的方法

权利要求书

1.一种磁性结，其在磁装置中使用并且位于基板上，该磁性结包括：

参考层；

非磁性间隔层；

自由层，所述非磁性间隔层位于所述自由层和所述参考层之间，所述自由层、所述非磁性间隔层和所述参考层相对于所述基板形成至少一个非零度角；和

至少一个磁偏结构，邻近所述自由层、与所述参考层对准并且具有与所述参考层的磁矩相同方向的磁矩，

其中所述磁性结被配置使得写入电流穿过所述磁性结时所述自由层在多个稳定磁状态之间可转换，

其中所述自由层在垂直于所述基板的方向上具有第一高度，所述参考层在该方向上具有第二高度，并且所述第一高度小于所述第二高度。

2.如权利要求1所述的磁性结，其中所述非零度角大于45度。

3.如权利要求1所述的磁性结，其中所述自由层、所述非磁性间隔层和所述参考层基本垂直于所述基板。

4.如权利要求3所述的磁性结，其中所述非磁性间隔层基本垂直于所述基板。

5.如权利要求1所述的磁性结，其中所述自由层是具有基本垂直于所述基板的轴和多个侧壁的柱状物。

6.如权利要求5所述的磁性结，其中所述非磁性间隔层邻近所述多个侧壁。

7.如权利要求6所述的磁性结，其中所述磁性结具有圆形截面。

8.如权利要求6所述的磁性结，其中所述磁性结具有从圆形、椭圆、正方形和矩形中选择出的截面。

9.如权利要求1所述的磁性结，其中所述参考层是合成反铁磁层。

10.如权利要求1所述的磁性结，其中所述自由层是合成反铁磁层。

11.如权利要求1所述的磁性结，还包括：

附加非磁性间隔层；和

附加参考层，所述自由层在所述非磁性间隔层和所述附加非磁性间隔层之间，所述附加非磁性间隔层在所述附加参考层与所述自由层之间，所述附加参考层和所述附加非磁性间隔层相对于所述基板形成至少一个附加非零度角。

12.如权利要求1所述的磁性结，其中所述自由层与所述基板分开第一距离，所述参考层与所述基板分开第二距离，所述第一距离大于所述第二距离。

13.如权利要求1所述的磁性结，其中所述自由层在所述至少一个磁偏结构的第一磁偏结构与所述基板之间。

14.如权利要求13所述的磁性结，其中所述至少一个磁偏结构的第二磁偏结构在所述自由层与所述基板之间。

15.如权利要求1所述的磁性结，其中所述自由层还包括：

多个畴壁运动屏障，使得所述自由层包括至少一个畴壁，所述多个稳定状态包括实质位于所述多个畴壁运动屏障中的至少一个处的所述至少一个畴壁。

16.如权利要求15所述的磁性结，其中所述多个畴壁运动屏障包括所述自由层的形状变化和位于所述自由层中的插入层两种方式中的至少一个。