[发明专利]一种耐高温黄变及耐高温高湿OC负型光阻剂及其在触摸屏器件制造中的工艺制程方法

说明书

本发明公开了一种耐高温黄变及耐高温高湿OC负型光阻剂及其在触摸屏器件制造中的工艺制程方法，负型光阻剂，至少由如下重量份的原料组成：甲基丙烯酸的共聚物树脂 5‑30份，含有烯双键的低聚物交联剂 5‑30份，光致自由基引发剂 0.2‑2份，助剂0.5‑3份，耐热黄变树脂5‑30份，溶剂70‑90份。本发明所述的负型光阻剂在制造电容式触摸屏的绝缘桥时，在200‑230℃镀膜温度下；100℃，85%高湿环境下；线电阻稳定在5.0E＋15‑16欧姆范围，透光率在98%。在制造保护层整层涂布OC2时，耐热透光率可以达到98%以上。本发明还通过揭示一种黄光制程工艺来说明对负型光阻剂的使用方法及优异工艺参数。

技术领域

本发明涉及一种光阻剂，特别是涉及一种耐高温黄变及耐高温高湿OC负型光阻剂及其在触摸屏器件制造中的工艺制程方法，即通过黄光制程将该光阻剂应用在触摸屏器件上。

背景技术

目前触摸屏市场的主流技术已经从电阻式过渡到电容式。电容屏的优点是响应速度快和触摸准确性好，提升客户的操作体验。特别是目前主流的投射式电容触摸屏克服了使用寿命短、透光率低、能耗高等缺点，性能提升显著。

投射式电容屏面板一般置于透明基板下方，可由手指直接触动操作，即使带着手套也可以操作。投射式电容屏可以承受上亿次的点击，使用寿命较长。此外，投射式电容屏没有空气间隙，通过光学和材料设计，扣除玻璃影响可以将透光率提高到98%。与表面式电容屏相比，投射式电容屏结构简单，无需人工校正，也不会产生漂移现象。投射式电容屏采用矩阵结构，精确度高，能实现多点触摸。

投射式电容屏根据Sensor材质分为Flim结构和Glass结构两大类。与Fli结构相比，Glass结构电容屏具有使用寿命长、透光率高等优点。Glass结构电容屏按照电极的分布位置可进一步分为双面式（DITO）和单面式（SITO）两大类。

双面式结构在溅镀SiO2之后需要经过黄光制程工艺涂一层保护层，或者先切割成要求尺寸，再进行保护层制作，这层材料要求耐热耐化学及物理，目前都使用高分子材料，但是从工艺一致性和成本考量，OC负型光阻剂是目前最合适的。单面式结构的保护层是在溅镀SiO2之前制作用于保护金属导线的，要求与双面式一样；此外，在制作导线前，要在ITO上进行制作“搭桥”式绝缘层(即绝缘桥)，除要求像保护层的性能还必须能够光刻显影成图形。

实现上述要求的材料和工艺目前有印刷光学胶，激光微雕法。但是，这些方法有些不适合大尺寸玻璃整体制作，只能把基片切割成单个器件尺寸制作，生产效率低下；有些制程例如激光和电子束微雕法，设备工艺费用昂贵，导致成本高昂无法与黄光制程竞争。

同时，在使用这种负型光阻剂制作的微小绝缘图形在密着性和耐热稳定性方面，很多时候光刻精度由于交联密着不足而出现问题，图形周围有树脂残留或者不该掉胶的地方出现掉胶，进而导致电绝缘性下降或线电阻漂移。

另外，现有的一些OC光阻剂往往耐热性能不佳，在后段的高温工序中，有氧化黄变现象，导致透过率迅速下降到90%以下，影响器件甚至是整个屏的背光源效率。

为了解决这些问题，有方法提出调节OC光阻配方当中树脂的硬度，也就是提高高分子的分子量或交联度。但是，如果过度增加分子量（M.w）和过度交联，组份之间极性匹配度将不能统一，就会出现下列问题：显影时“搭桥”图型的精度变差、Profile坡度角偏高等问题。

另一种解决上述问题的思路是尽量控制工艺使得制成温度降低或者高温操作时间缩短，也就是低温镀膜技术。但是这种技术一则工艺成本高，很多触摸屏制造商不引进，并且这种控制是有其极限的，并不能真正降低对负型光阻剂本身的性能指标要求。

发明内容