[发明专利]一种背透反射式像素单元以及平板传感器有效
申请号: | 201310714171.6 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN103928477B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 郑娅洁 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 反射 像素 单元 以及 平板 传感器 | ||
1.一种背透反射式像素单元,其特征在于,包括:
数据线、与数据线交叉绝缘的扫描线、开关结构、光电二极管结构以及第一金属层,其中所述第一金属层构成所述背透反射式像素单元的不透光区域,用于沿透光方向遮挡光进入所述开关结构和所述光电二极管结构,并且所述背透反射式像素单元的不被所述第一金属层遮挡的区域构成所述背透反射式像素单元的透光区域,所述第一金属层是独立的一层金属;
所述光电二极管结构包括第一电极;
所述背透反射式像素单元还包括:位于所述第一电极与所述第一金属层之间的绝缘层,所述第一电极和所述第一金属层构成所述背透反射式像素单元的存储电容的两个电极。
2.根据权利要求1所述的背透反射式像素单元,其特征在于,所述透光区域位于所述像素单元的一侧,所述不透光区域位于所述像素单元的另一侧。
3.根据权利要求2所述的背透反射式像素单元,其特征在于,所述透光区域和不透光区域沿着所述像素单元的长边方向排列。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的背透反射式像素单元,其特征在于,所述开关结构为TFT开关结构;
所述第一电极与所述TFT开关结构的漏极相连接;
所述TFT开关结构的源极与所述数据线相连接,所述TFT开关结构的栅极与所述扫描线相连接,所述栅极与所述第一金属层电性绝缘,所述栅极与所述第一电极电性绝缘。
5.根据权利要求4所述的背透反射式像素单元,其特征在于,所述第一金属层位于所述TFT开关结构的栅极下方,所述光电二极管结构位于所述TFT开关结构上方。
6.根据权利要求1所述的背透反射式像素单元,其特征在于,所述绝缘层的材料为氮化硅或二氧化硅。
7.根据利要求4所述的背透反射式像素单元,其特征在于,所述光电二极管结构还包括:与所述第一电极对应的第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的光电导层,其中,所述第二电极的材料为透明导电材料。
8.根据利要求4所述的背透反射式像素单元,其特征在于,所述第一电极的材料为金属。
9.根据利要求8所述的背透反射式像素单元,其特征在于,所述第一金属层的材料与所述第一电极的材料相同。
10.一种平板传感器,其特征在于,包括如权利要求1-9中任一项所述的背透反射式像素单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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