[发明专利]一种硅基光波导偏振转换器及其制备方法

权利要求书

1.一种硅基光波导偏振转换器，其特征在于：包括硅衬底、覆盖在硅衬底上表面的二氧化硅层、硅波导层和金属条层，其中，所述硅波导层的横截面呈“L”形，其下表面生长或键合在二氧化硅层的上表面上，上表面形成一高台面和一低台面，金属条层覆盖在硅波导层的低台面上。

2.如权利要求1所述的一种硅基光波导偏振转换器，其特征在于：所述硅波导层的宽度为250-600纳米，高度为250-600纳米。

3.如权利要求1所述的一种硅基光波导偏振转换器，其特征在于：金属条层的金属条宽度与硅波导层低台面的宽度一致，在80-250纳米之间。

4.如权利要求3所述的一种硅基光波导偏振转换器，其特征在于：所述金属条层为金、银、铝或铜的其中一种，金属条层厚度为30-100纳米。

5.如权利要求1所述的一种硅基光波导偏振转换器，其特征在于：上述硅波导层低台面的高度为100-300纳米。

6.如权利要求1所述的一种硅基光波导偏振转换器，其特征在于：上述硅基光波导偏振转换器长度为1-10微米。

7.一种硅基光波导偏振转换器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1）在SOI晶片上涂覆光刻胶；

2）用光刻机进行曝光；

3）用光刻胶显影液进行显影，得到光刻胶上的图形；

4）利用干法刻蚀工艺将光刻胶上的图形转移到硅，形成具有一个高台面的硅波导层；

5）利用去胶剂或者氧等离子体刻蚀去掉剩余光刻胶；

6）在硅波导层高台面上涂覆光刻胶；

7）用光刻机进行对准曝光；

8）用光刻胶显影液进行显影，在硅波导上得到光刻胶上的图形；

9）利用干法刻蚀工艺将光刻胶上的图形转移到硅，形成硅波导层的低台面；

10）通过金属薄膜蒸发工艺在上一步工艺后的样品低台面上制备金属薄膜；

11）利用剥离工艺获得仅附着在硅波导低台面上的金属条层。