[发明专利]一种选择器及其制造方法

权利要求书

1.一种选择器的制造方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成钝化层；

在所述钝化层上形成具有隔离槽的第一金属层，所述隔离槽将所述第一金属层分隔为分别与形成在所述半导体衬底上的CMOS的漏极、栅极和源极连通的三个部分；

沉积形成牺牲层，以覆盖具有所述隔离槽的所述第一金属层；

在所述牺牲层的与所述第一金属层的连通所述漏极的部分相接触的部分中形成凹槽；

沉积第二金属层，以覆盖具有所述凹槽的所述牺牲层，并执行化学机械研磨直至露出所述牺牲层，以形成与所述选择器的悬臂梁的末端相连的触点；

在所述牺牲层中形成沟槽，以露出所述第一金属层的连通所述源极的部分；

沉积用于构成所述悬臂梁的锗硅层，以完全填充所述沟槽并覆盖所述牺牲层和所述触点；

去除所述锗硅层的位于所述触点之外的部分，以暴露部分所述牺牲层；

刻蚀去除所述牺牲层，以在所述悬臂梁和所述第一金属层之间形成气隙。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成具有隔离槽的所述第一金属层的步骤包括：在所述钝化层上沉积形成所述第一金属层；在所述第一金属层上形成具有所述隔离槽的图案的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，通过蚀刻形成具有隔离槽的所述第一金属层；通过灰化去除所述光刻胶层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述凹槽之前，还包括执行另一化学机械研磨平坦化所述牺牲层的顶部的步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层的构成材料为氧化物，所述第一金属层和所述第二金属层的构成材料为不会受到双氧水腐蚀攻击的材料，所述牺牲层的构成材料为锗。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的构成材料为铝，沉积构成所述第二金属层的铝的温度为240-300℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过调整沉积所述锗硅层时的工艺参数或者实施所述沉积的同时原位掺杂杂质来调节所述悬臂梁所具有的应力。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀的刻蚀液为热的双氧水，温度为80-100℃。

8.一种采用如权利要求1-7中的任一方法制造的选择器。