[发明专利]沟渠式金氧半P-N接面二极管结构及其制作方法

权利要求书

1.一种沟渠式金氧半P-N接面二极管结构，其特征在于，包含：

一第一导电型基板；

多个沟渠结构，形成于该第一导电型基板的表面上；

一栅极氧化层，至少形成于该沟渠结构内侧壁上；

一多晶硅层，形成于该沟渠结构内，且被该栅极氧化层包围至少部分侧面表面；

一第二导电型第二浓度离子注入区域，至少形成于第一导电型基板中，且在该栅极氧化层的外侧；

一第二导电型第一浓度离子注入区域，形成于该沟渠结构底表面下，所述第一浓度高于所述第二浓度；及

一电极层，覆盖于该第一导电型基板、该第二导电型第二浓度离子注入区域、该栅极氧化层及该多晶硅层上。

2.根据权利要求1所述的沟渠式金氧半P-N接面二极管结构，其特征在于，该多晶硅层直接接触该第二导电型第一浓度离子注入区域。

3.根据权利要求1所述的沟渠式金氧半P-N接面二极管结构，其特征在于，该栅极氧化层亦形成于该沟渠结构底表面上，且该第二导电型第一浓度离子注入区域形成于该栅极氧化层下。

4.根据权利要求1所述的沟渠式金氧半P-N接面二极管结构，其特征在于，在该沟渠式金氧半P-N接面二极管结构的元件区中，该第二导电型第二浓度离子注入区域形成于该第一导电型基板的整个露出表面。

5.根据权利要求1所述的沟渠式金氧半P-N接面二极管结构，其特征在于，该第二导电型第二浓度离子注入区域的掺杂剂量为10¹²cm^-2，该第二导电型第一浓度离子注入区域的掺杂剂量为10^13-16cm^-2。

6.一种沟渠式金氧半P-N接面二极管结构制作方法，其特征在于，包含：

提供一第一导电型基板；

形成多个的沟渠结构于该第一导电型基板的表面上；

在该沟渠结构侧壁外形成一第二导电型第二浓度离子注入区域；

在该沟渠结构底部形成一第二导电型第一浓度离子注入区域，所述第一浓度高于所述第二浓度；

在该沟渠结构内侧壁上形成一栅极氧化层；

在该沟渠结构内形成一多晶硅层，且被该栅极氧化层包围至少部分侧面表面；

形成一电极层，覆盖于该第一导电型基板、该第二导电型第二浓度离子注入区域、该栅极氧化层及该多晶硅层上。

7.根据权利要求6所述的沟渠式金氧半P-N接面二极管结构制作方法，其特征在于，该多晶硅层直接接触该第二导电型第一浓度离子注入区域。

8.根据权利要求6所述的沟渠式金氧半P-N接面二极管结构制作方法，其特征在于，该栅极氧化层亦形成于该沟渠结构底表面上，且该第二导电型第一浓度离子注入区域形成于该栅极氧化层下。

9.根据权利要求6所述的沟渠式金氧半P-N接面二极管结构制作方法，其特征在于，在该沟渠式金氧半P-N接面二极管结构的元件区中，该第二导电型第二浓度离子注入区域形成于该第一导电型基板的整个露出表面。

10.根据权利要求6所述的沟渠式金氧半P-N接面二极管结构制作方法，其特征在于，该第二导电型第二浓度离子注入区域的掺杂剂量为10¹²cm^-2，该第二导电型第一浓度离子注入区域的掺杂剂量为10^13-16cm^-2。