[发明专利]一种MOS晶体管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管的制造方法，包括：

a.提供半导体衬底（100）和伪栅叠层（101），在所述伪栅叠层（102）两侧的衬底中具有源漏扩展区（201）；

b.在所述伪栅叠层两侧形成第一侧墙部分（102）；

c.在所述第一侧墙部分（102）垂直于衬底的表面上形成第二侧墙部分（103）；

d.去除所述第一侧墙部分（102）位于伪栅叠层（101）顶部以及位于源漏扩展区（201）上第二侧墙部分（103）外侧的部分，形成侧墙（105）；

e.在伪栅叠层两侧的衬底中形成源漏区，并在所述源漏区上方形成层间介质层（300）；

f.去除所述伪栅叠层（101）以形成开口，并在所述开口中填充栅极叠层（200）；

g.去除所述侧墙（105），形成空位（106）；

h.在所述层间介质层（300）和所述伪栅叠层（101）上淀积牺牲材料层（400）使其填充空位（106）顶部，并进行化学机械抛光，直至露出所述栅极叠层（101）顶部，使未被刻蚀掉的牺牲材料层在所述空位（106）顶部形成盖层（107）。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步骤b中，所述第一侧墙部分（102）的材料为氮化硅。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，在步骤b中，所述第一侧墙部分（102）的厚度为10～30nm。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步骤c中，所述第二侧墙部分（103）与第一侧墙部分（102）的材料相同。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步骤d中，所述去除第一侧墙部分（102）的方法是各向异性刻蚀。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步骤d中，所述层间介质层（300）的材料与侧墙（105）的材料不同。

7.根据权利要求1或6所述的制造方法，其特征在于，在步骤d中，所述层间介质层（300）的材料为氧化硅。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步骤g中，所述去除侧墙（105）的方法是选择性刻蚀。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步骤h中，所述牺牲材料层（400）的材料与层间介质层（300）相同。

10.一种MOS晶体管结构，包括：

衬底（100）；

栅极叠层（200），位于所述衬底（100）上方；

源漏区（202），位于所述栅极叠层（200）两侧衬底中；

层间介质层（300），覆盖所述源漏区（202）；

空位（106），位于所述栅极叠层（200）两侧，被所述层间介质层（300）和衬底（100）包围；以及

盖层（107），覆盖所述空位（106）顶部。

11.根据权利要求10所述的晶体管结构，其特征在于，所述空位（106）与层间介质层（300）相邻的面为弧形，其顶部的宽度小于底部的宽度。

12.根据权利要求10所述的晶体管结构，其特征在于，所述空位（106）顶部的宽度为10～30nm，顶部与底部的宽度差为30～60nm。

13.根据权利要求10所述的晶体管体结构，其特征在于，所述盖层（107）的厚度小于5nm。