[发明专利]硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺，属于半导体制造工艺技术领域。

背景技术

随着微电子技术的发展，大规模集成电路的发展要求有大功率器件．要求通过大电流，这就需要厚的金属导线。使用干法等离子体刻蚀对4μm的厚金属进行刻蚀很容易产生金属残留，影响可靠性。在部分对集成度不高的电路上我们可以采用湿法刻铝解决。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺，在湿法刻铝前增加了前处理工序，保证湿法刻铝的刻蚀容宽。

按照本发明提供的技术方案，所述硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺，其特征是，采用以下工艺步骤：

（1）在硅基片表面溅射生长4μm厚的金属层；

（2）在金属层表面涂光刻胶，曝光、显影得到光刻图形； 

（3）将硅基片放入等离子体设备中，通入氧气，氧气流量为700~900sccm，控制等离子体处理工艺保证光刻胶的去胶量为100~150nm，等离子体处理功率为100~300W，温度为240~260℃，处理时间为20~40秒。

步骤（1）所述金属层为Al/Si或Al/Si/Cu，生长温度为250~350℃。

本发明所述硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺在硅基片湿法刻蚀前进行处理，采用等离子体去胶设备完成，解决了湿法刻蚀可能存在的刻蚀不干净的情况，保证湿法刻铝的刻蚀容宽。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。

实施例一：一种硅片厚金属刻蚀的前处理工艺，采用以下工艺步骤：

（1）在硅基片表面溅射生长4μm厚的金属层，金属层为Al/Si或Al/Si/Cu，生长温度为250℃；

（2）在金属层表面涂光刻胶，曝光、显影得到光刻图形； 

（3）将硅基片放入等离子体设备中，通入氧气，氧气流量为700sccm，控制等离子体处理工艺保证光刻胶的去胶量为100nm，等离子体处理功率为100W，温度为240℃，处理时间为40秒。

经上述前处理工艺后的硅片可接下去进行湿法刻铝工艺，解决了湿法刻蚀可能存在的刻蚀不干净的情况，保证湿法刻铝的刻蚀容宽。

实施例二：一种硅片厚金属刻蚀的前处理工艺，采用以下工艺步骤：

（1）在硅基片表面溅射生长4μm厚的金属层，金属层为Al/Si或Al/Si/Cu，生长温度为350℃；

（2）在金属层表面涂光刻胶，曝光、显影得到光刻图形； 

（3）将硅基片放入等离子体设备中，通入氧气，氧气流量为900sccm，控制等离子体处理工艺保证光刻胶的去胶量为150nm，等离子体处理功率为300W，温度为260℃，处理时间为20秒。

实施例三：一种硅片厚金属刻蚀的前处理工艺，采用以下工艺步骤：

（1）在硅基片表面溅射生长4μm厚的金属层，金属层为Al/Si或Al/Si/Cu，生长温度为300℃；

（2）在金属层表面涂光刻胶，曝光、显影得到光刻图形； 

（3）将硅基片放入等离子体设备中，通入氧气，氧气流量为800sccm，控制等离子体处理工艺保证光刻胶的去胶量为125nm，等离子体处理功率为200W，温度为250℃，处理时间为30秒。