[发明专利]一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法

权利要求书

1.一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供一衬底；

S2：在所述衬底上制备一光电器件；

S3：在所述光电器件上部制备一电隔离层；

S4：制备一复合薄膜；

S5：将所述步骤S4中制备的复合薄膜覆盖于所述步骤S3中制备的电隔离层上部。

2.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于：所述步骤S3中是采用电子束蒸发的方式制备所述电隔离层。

3.根据权利要求2所述的一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于：所述电隔离层所用的材料是SiO₂、MgF₂、SiN或Al₂O₃。

4.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于：所述复合薄膜为石墨烯/聚合物、氧化石墨烯/聚合物或还原氧化石墨烯/聚合物。

5.根据权利要求4所述的一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于：所述石墨烯、氧化石墨烯或还原氧化石墨烯的厚度为0.34纳米至100纳米，所述聚合物的厚度为100纳米至100微米。

6.根据权利要求4所述的一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于：所述聚合物为聚甲基丙稀酸甲脂、聚苯乙烯或聚酰亚胺。

7.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于：所述步骤S4具体步骤为：

S401：提供一铜箔并通过化学抛光、有机溶剂超声清洗和去离子水清洗进行表面处理；

S402：采用CVD法在所述铜箔上生长石墨烯；

S403：采用旋涂或者滚涂的工艺在所述步骤S402中制备的石墨烯/Cu上制备PMMA薄膜，得到PMMA/石墨烯/Cu；

S404：将所述步骤S403中制备的PMMA/石墨烯/Cu放入刻蚀液中刻蚀掉下层的铜箔，留下石墨烯/PMMA复合薄膜，并烘干备用。

8.根据权利要求7所述的一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于，所述步骤S404后还包括：重复步骤S401-S402，然后将制备出的石墨烯/Cu倒扣在所述步骤S404中制备的石墨烯/PMMA复合薄膜上，放入刻蚀液中刻蚀掉铜箔，即制备出双层石墨烯/PMMA复合薄膜。

9.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于：所述步骤S4具体步骤为：

S411：取一干燥的1000mL三颈瓶，先加入100mL的浓硫酸，冰浴不断搅拌下缓慢加入3g的鳞片石墨粉，再缓慢加入12g的高锰酸钾；

S412：撤走冰浴，改用水浴并控制温度为15℃反应2h；

S413：控制温度为35℃反应40min；

S414：在溶液中缓慢加入220mL的高纯水，控制温度为80℃反应20min；

S415：在溶液中加入600mL的高纯水，控制温度为45℃，缓慢滴加10mL 30%的双氧水；

S416：静置24h，倾出上层清液，抽滤留下沉淀物；

S417：改用低速大容量离心机，以4000r/min离心分离洗涤数次，至溶液pH值为7，得到GO，备用；

S418：将所述步骤S417中制备的GO以1000r/min的速度旋涂在铜箔上，得到GO/Cu，烘干；

S419：采用旋涂或者滚涂的工艺在GO/Cu上制备PMMA薄膜，得到PMMA/GO/Cu；

S4110：将所述步骤S419中制备的PMMA/GO/Cu放入刻蚀液刻蚀掉下层的铜箔，留下GO/PMMA复合薄膜，并烘干备用。

10.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法，其特征在于：所述步骤S5中是在所述复合薄膜的边缘涂上环氧树脂胶并覆盖于所述电隔离层上部。