[发明专利]一种低介电损耗CaCu3Ti4O12薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种低介电损耗CaCu₃Ti₄O₁₂薄膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）分别将含钙盐、铜盐、钛盐的混合液与水溶性高分子混合，得到含钙络合物的混合液、含铜络合物的混合液、含钛络合物的混合液，然后按照含钙络合物、含铜络合物、含钛络合物的摩尔比为1:3:4的比例，配制含钙铜钛的混合液，作为制备CaCu₃Ti₄O₁₂薄膜的前驱液；

（2）将基片放入管式炉中，升温至900℃保持10小时后，随炉自然降温至室温；

（3）采用旋涂的方法将含钙铜钛的前驱液均匀涂布在步骤（2）处理后的基片上，并置于干燥箱中烘干，得到含钙铜钛的薄膜样品；

（4）将步骤（3）中得到的含钙铜钛的薄膜样品放入高压炉中，调节高压炉中气体气氛，使高压炉中保持0.35～0.75Mpa压强范围的高纯氧，在900℃下对薄膜样品进行烧结处理，然后随炉自然降温至室温，得到低介电损耗的CaCu₃Ti₄O₁₂薄膜。

2.根据权利要求1所述的低介电损耗CaCu₃Ti₄O₁₂薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述基片为LaAlO₃[100]基片。

3.根据权利要求1所述的低介电损耗CaCu₃Ti₄O₁₂薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述旋涂过程中先经过低速800转/分钟旋转6秒，再经过高速3000转/分钟旋转30秒。

4.根据权利要求1所述的低介电损耗CaCu₃Ti₄O₁₂薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）中烘干温度为80℃，时间为30分钟。

5.根据权利要求1所述的低介电损耗CaCu₃Ti₄O₁₂薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（4）中所述的高纯氧的体积百分比为99.999%。

6.根据权利要求1所述的低介电损耗CaCu₃Ti₄O₁₂薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（4）中所述调节高压炉中气体气氛的过程为：将薄膜样品放入高压炉中，封闭高压炉，对炉管进行抽真空操作，然后通入体积百分比为99.999%的高纯氧，继续抽真空、通入高纯氧，如此反复循环5次，将气压值稳定保持在0.35～0.75Mpa压强范围内。

7.根据权利要求1所述的低介电损耗CaCu₃Ti₄O₁₂薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（4）中所述烧结过程为：首先在30分钟内由室温升高到120℃保持60分钟，再经60分钟升温到510℃保持90分钟，再经40分钟升温到900℃保持600分钟。