[发明专利]一种提高大容量反熔丝存储器成品率的方法

权利要求书

1.一种提高大容量反熔丝存储器成品率的方法，其特征在于，包括下述步骤：

(1)根据反熔丝存储器的结构确定反熔丝存储器编程和读取环路；

(2)根据所述反熔丝存储器编程和读取环路确定置换修复功能电路；

(3)通过对反熔丝存储器成品率的预估确定所述反熔丝存储器的置换修复功能电路的规模；

(4)通过对所述反熔丝存储器的数据进行校验来判断是否需要对所述反熔丝存储器进行修复，若是，则选择相应规模的置换修复功能电路对反熔丝存储器的错误存储位或有缺陷存储位进行置换修复，若否，则结束；

(5)根据所述反熔丝存储器的成品率调整置换修复功能电路的规模，并采用调整后的置换修复功能电路对反熔丝存储器的错误存储位或有缺陷存储位进行置换修复。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反熔丝存储器编程和读取环路包括字线译码电路、位线译码电路、位线选通电路、字线高压转换电路、读写切换控制逻辑、采样判断电路、读写选通控制器和MOS管M1；

所述字线译码电路的输入端与所述位线译码电路的输入端均用于连接地址信号A；所述字线高压转换电路的输入端连接至所述字线译码电路的输出端，所述存储单元的输入端连接至所述字线高压转换电路的第一输出端，所述位线选通电路的第一控制端连接至所述存储单元的控制端，所述位线选通电路的输入端连接至所述位线译码电路的输出端，所述读写选通控制器的控制端连接至所述位线选通电路的第二控制端，所述读写选通控制器的输入端连接至所述字线高压转换电路的第二输出端和读写切换控制逻辑电路的第一输出端；所述MOS管的栅极连接至所述读写切换控制逻辑电路的第二输出端；所述读写切换控制逻辑电路的输入端用于接收存储器输出控制使能信号OE、存储器片选信号CE、存储器编程标志信号PGM和单元编程加载数据DIN；所述MOS管的源极接地，所述MOS管的漏极连接至所述读写选通控制器的第一输出端，所述采样判断电路的输入端连接至所述读写选通控制器的第二输出端。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用置换修复功能电路对反熔丝存储器的错误存储位或有缺陷存储位进行置换修复步骤具体包括：

在主存储阵列上增加修复存储阵列；所述修复存储阵列用于存储出错单元字线地址和置换修复数据；

通过所述修复存储阵列记录相应的错误地址和数据；并将置换修复配置信号BOOT设为1，此时通过存储器片选信号CE、存储器输出控制使能信号OE、存储器编程标志信号PGM切换到置换修复存储阵列，完成对错误地址和需修复数据的编程。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述修复存储阵列的位宽与所述主存储阵列的位宽相同。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述置换修复功能电路包括编程和读写控制逻辑单元、地址比较判断单元、控制逻辑产生单元、译码选通单元、错误地址信息选取单元、置换自加载电路、置换修复存储阵列；

所述译码选通单元的第一输入端连接至所述编程和读写控制逻辑单元的第一输出端，所述译码选通单元的第二输入端连接至所述控制逻辑产生单元的第一输出控制端，所述译码选通单元的第一输出端用于与正常存储阵列连接，所述译码选通单元的第二输出端与所述置换修复存储阵列连接；

所述控制逻辑产生单元的输入端连接至所述地址比较判断单元的输出端连接，所述地址比较判断单元的第一输入端连接地址信号A，所述地址比较判断单元的第二输入端连接至所述编程和读写控制逻辑单元的第二输出端，所述地址比较判断单元的第三输入端连接至所述错误地址信息读取单元的输出端；

所述错误地址信息读取单元的输入端连接至所述错误地址信息存储单元的输出端；

所述编程和读写控制逻辑单元的输入端分别连接存储器片选信号CE、存储器输出控制使能信号OE、存储器编程标志信号PGM、置换修复配置信号BOOT、地址信号A和所述置换自加载电路的输出端，所述置换自加载电路的输入端连接至所述初始配置信息存储单元。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在置换修复过程中，通过置换自加载电路实现对错误数据的自动置换；所述置换自加载电路包括：PIDW接口、地址信息存储单元的编程和读取环路、放大器、反相器、选择器和控制逻辑电路；

所述控制逻辑电路的第一输入端连接至所述PIDW的输出端，所述控制逻辑电路的第二输入端连接所述地址信息存储单元的编程和读取环路，所述控制逻辑电路的第三输入端连接至所述反相器的输出端，所述反相器的输入端用于连接上电复位信号，所述控制逻辑电路根据输入端的信号输出使能信号置换修复配置信号BOOT2；

所述放大器的输入端连接至所述PIDW接口的输出端，所述选择器的输入端连接至所述放大器的输出端；所述选择器的第一输出端用于连接主存储阵列，所述选择器的第二输出端用于连接修复存储阵列。