[发明专利]一种键合晶片的减薄方法

权利要求书

1.一种键合晶片的减薄方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

1)提供一载片及一器件晶片；将所述载片和器件晶片进行键合，形成键合晶片；

2)使用磨轮对所述键合晶片中的器件晶片进行切割或磨削，以去除其弧形边缘；使用磨轮对器件晶片进行切割或磨削，至少包括以下步骤：

a)键合晶片被真空吸附在卡盘表面，以一定的速度旋转，且器件晶片位于载片上方；

b)磨轮被垂直固定在驱动轴上，以一定的速度转动；

c)调整磨轮位置，设定磨轮切割或磨削器件晶片边缘的磨削宽度，磨轮沿设定好的磨削宽度由上至下对键合晶片的器件晶片边缘进行切割至器件晶片和载片的接触面后继续向载片磨削，直至将载片磨削掉预设尺寸；其中，设定的磨轮切割或磨削器件晶片边缘的磨削宽度为键合晶片的狭缝最小处到器件晶片的外沿的距离；

3)将所述去除弧形边缘的器件晶片减薄到所需尺寸。

2.根据权利要求1所述的键合晶片的减薄方法，其特征在于：步骤1)中，所述载片和器件晶片键合方式为金属键合、黏着键合、阳极键合、低温共晶键合、玻璃浆料键合方式中的一种。

3.根据权利要求1所述的键合晶片的减薄方法，其特征在于：步骤1)中，所述载片为晶片或玻璃。

4.根据权利要求1所述的键合晶片的减薄方法，其特征在于：所述步骤c)中，设定的磨轮磨削器件晶片边缘的所需磨削宽度小于等于5mm。

5.根据权利要求4所述的键合晶片的减薄方法，其特征在于：步骤c)中，设定的磨轮磨削器件晶片边缘的所需磨削宽度范围介于1mm至5mm之间。

6.根据权利要求1所述的键合晶片的减薄方法，其特征在于：步骤2)中，所述磨轮由器件晶片向载片切割或磨削，直至所述器件晶片和载片的接触面边缘。

7.根据权利要求1所述的键合晶片的减薄方法，其特征在于：所述步骤c)中，使用磨轮对键合晶片的器件晶片进行的切割或磨削是通过一次切割或磨削方法或者多次切割或磨削方法来实现。

8.根据权利要求1所述的键合晶片的减薄方法，其特征在于：步骤3)中，采用研磨抛光法对所述去除弧形边缘的器件晶片进行减薄。

9.根据权利要求1所述的键合晶片的减薄方法，其特征在于：步骤3)中，对所述去除弧形边缘的器件晶片进行减薄的尺寸小于等于50μm。

10.根据权利要求9所述的键合晶片的减薄方法，其特征在于：步骤3)中，对所述去除弧形边缘的器件晶片进行减薄的尺寸范围介于5μm至50μm之间。