[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

高级超维场开关技术（Advanced-Super Dimensional Switching，简称：ADS）通过同一平面内像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极或公共电极之间、像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹（push Mura）波纹等优点。

ADS模式显示装置由彩膜基板和ADS阵列基板对盒而成，如图1所示，ADS阵列基板包括：基板，设置在基板上的薄膜晶体管、像素电极11和公共电极12，像素电极11在上为狭缝电极，公共电极12在下为板式电极。制备时，源漏金属层形成薄膜晶体管的源/漏极172以及数据线171；栅金属层形成栅线13（栅线13的一部分充当薄膜晶体管的栅极）和公共电极线14，同时还需形成栅连接区141（Gate pad），然后利用第二透明导电层（2nd ITO，用以形成像素电极11）形成连接线15。连接线15在栅连接区141（Gate pad）通过过孔16将公共电极线14和公共电极12电连接。公共电极线14与栅线13设置在不同层，会增加工序，但是设置在同一层，公共电极线14以及栅连接区141（Gate pad）的存在会导致开口率减少；另外，公共电极线14与公共电极12连接时存在过孔，会使得栅线的连接电阻会增加。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，可提高开口率，并改善栅线因连接电阻增加导致的栅信号延迟。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，本发明的实施例提供一种阵列基板，包括：基板，设置在基板上的公共电极，还包括：

栅线；与所述栅线同层，且平行于所述栅线设置的公共电极线；

所述栅线包括：多个间断分布的独立部分，所述独立部分通过搭桥相互连接；所述公共电极线经所述栅线的间断处直接与所述公共电极电连接。

优选地，所述公共电极线上折，且，所述公共电极线的上折部分位于所述栅线的间断处。

优选地，所述阵列基板还包括：薄膜晶体管；所述搭桥与所述薄膜晶体管的源/漏极同层设置。

可选地，所述搭桥与所述像素电极同层设置，或者，所述搭桥与所述公共电极同层设置。

进一步地，所述阵列基板还包括：隔着绝缘层重叠在所述独立部分上方的并联线，且，

所述并联线的两端分别与所述独立部分电连接。

可选地，所述阵列基板还包括：薄膜晶体；所述并联线与所述薄膜晶体管的源/漏极同层设置。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括所述的任一阵列基板。

另一方面，本发明的实施例还提供一种阵列基板的制备方法，包括：

S1、栅金属层制程，形成栅极、栅线和公共电极线；

S2、薄膜晶体管制程，形成薄膜晶体管的栅绝缘层、半导体层、源极和漏极，以及数据线；

S3、形成公共电极的制程，所述公共电极与所述公共电极线电连接；

S4、形成钝化保护层的制程；

S5、形成像素电极的制程；

步骤S1中形成的所述栅线包括多个间断分布的独立部分，步骤S1中形成的所述公共电极线经所述栅线的间断处延伸至所述公共电极的预设位置；

步骤S2中或者步骤S5中还形成搭桥，步骤S1中形成的独立部分通过搭桥相互连接；当采用在步骤S2中形成搭桥时，步骤S2中通过构图工艺在源漏金属层上，形成薄膜晶体管的源极、漏极和数据线时，还同步在所述独立部分的上方形成搭桥，所述搭桥的两端分别与相邻的两个所述独立部分电连接；当采用在步骤S5中形成搭桥时，步骤S5具体为：

形成透明导电膜，并通过构图工艺形成像素电极，同时在所述独立部分的上方形成搭桥，所述搭桥的两端分别与相邻的两个所述独立部分电连接。

具体地，所述搭桥的两端分别与相邻的两个所述独立部分电连接，具体为：

所述搭桥的两端分别通过过孔与相邻的两个所述独立部分电连接。