[发明专利]低N型埋源漏电阻的光罩式只读存储器的结构及制造方法在审
| 申请号： | 201310717907.5 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104733460A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 型埋源 漏电 光罩式 只读存储器 结构 制造 方法 | ||
1.低N型埋源漏电阻的光罩式只读存储器的制造方法，其特征在于，步骤包括：
1）用现有工艺在硅衬底有源区上形成浅隔离槽，并进行P阱注入；
2）涂布N型埋源漏的光阻，曝光，进行第一次砷离子或磷离子注入，在N型埋源漏区域的单侧形成第一N型埋源漏；
3）进行第二次能量比第一次低的砷离子注入，形成与第一N型埋源漏相连的、比第一N型埋源漏浅且宽的第二N型埋源漏；
4）用现有工艺形成栅氧、多晶硅栅和栅极隔离侧墙，完成光罩式只读存储器的制作。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2），注入剂量为3.55E14～5.85E15个/cm2，注入能量为61～118keV。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2），注入角度为10～20度倾斜。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3），注入剂量为4.1E14～6.9E15个/cm2，注入能量为20～63keV。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3），注入角度为0度倾斜。
6.用权利要求1至5任何一项所述的方法制造的低N型埋源漏电阻的光罩式只读存储器的结构，其特征在于，该光罩式只读存储器的N型埋源漏在沿栅极方向的剖面呈“Γ”形结构。
7.根据权利要求6所述的光罩式只读存储器的结构，其特征在于，所述N型埋源漏包括彼此相连的第一N型埋源漏和第二N型埋源漏，所述第一N型埋源漏位于所述N型埋源漏的单侧，且比所述第二N型埋源漏深和窄。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
