[发明专利]使用具有硅通孔的中介层衬底的芯片封装无效
申请号: | 201310718109.4 | 申请日: | 2013-12-23 |
公开(公告)号: | CN103887258A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 泽圭姜 | 申请(专利权)人: | 辉达公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/29;H01L25/065 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;谢栒 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 具有 硅通孔 中介 衬底 芯片 封装 | ||
技术领域
本发明的实施例概括地说涉及的是集成电路芯片封装,更具体地,涉及的是使用具有硅通孔的中介层(interposer)衬底的芯片封装。
背景技术
在集成电路(IC)芯片的封装中,通常理想的是最小化将IC芯片包在其中的封装组装(assembly)或“芯片封装”的尺寸和厚度。在移动计算设备中,诸如智能手机、膝上型计算机、电平板电脑(electronic tablet)等,最小化IC封装的厚度是特别理想的,从而使这些移动设备能够进一步减小尺寸和重量。例如,IC芯片可以安装在可以是100微米薄的中介层衬底上,而不是安装在具有近似1或大于1毫米厚度的常规封装衬底上。
然而,当中介层衬底用作芯片封装的一部分时,特别是在回流焊工艺中,易于发生很明显的翘曲(warpage)。在制造芯片封装期间,所述中介层衬底的翘曲会降低收益并且导致较差的封装可靠性,这二者都是非常不利的。
因此,本领域需要具有降低的厚度的IC封装。
发明内容
本发明的一个实施例阐述了具有中介层的微电子封装,所述中介层由半导体衬底形成且包含硅通孔。一个或多个半导体裸片(die)耦连到所述中介层,且在所述中介层的第一侧所形成的第一再分布层(redistribution layer)将一个或多个半导体裸片耦连到所述硅通孔。此外,第二再分布层在所述中介层的第二侧形成,并电耦连到所述硅通孔。在一些实施例中,模塑复合物(mold compound)连接到所述中介层的边缘表面,并配置为增加所述微电子封装的刚性。
上述实施例的一个优势是,微电子封装的厚度可以显著地减小,不存在所述微电子封装中的部件的不希望的翘曲的危害。进一步的优势是,使用模塑复合物代替底部填充材料类来保护IC芯片和中介层间的电连接,减少了所述微电子封装的总占位面积(footprint)。这是因为所述模塑复合物可以使安装到所述中介层的无源部件的位置非常接近于同样安装在所述中介层上的IC芯片。
附图说明
因此,可以详细地理解本发明的上述特征,并且可以参考实施例得到对如上面所简要概括的本发明更具体的描述,其中一些实施例在附图中示出。然而,应当注意的是,附图仅示出了本发明的典型实施例,因此不应被认为是对其范围的限制,本发明可以具有其它等效的实施例。
图1是根据本发明的一个实施例所布置的微电子封装的示意的横断面视图。
图2是根据本发明的一个实施例所布置的微电子封装的示意的横断面视图。
图3是根据本发明的一个实施例所布置的微电子封装的示意的横断面视图。
图4是根据本发明的一个实施例所布置的微电子封装的示意的横断面视图。
图5是根据本发明的另一个实施例所布置的微电子封装的示意的横断面视图。
图6是根据本发明的另一个实施例所布置的微电子封装的示意的横断面视图。
图7示出了在其中可以实现本发明的一个或多个实施例的计算设备。
为了清楚起见,在适用的情况下,同样的附图标记已用于指代附图之间的共有的相同的元件。可以预期的是,一个实施例的特征可以被并入到其它实施例中,而不需要进一步的陈述。
具体实施方式
图1是根据本发明的一个实施例所布置的微电子封装100的示意的横断面视图。微电子封装100包括集成电路(IC)芯片101、102和103,中介层120、封装衬底130和模塑刚性件(stiffener)140。微电子封装100配置为将IC芯片101、102和103以及安装在中介层120上的任何其它逻辑或存储器IC电或机械连接到印刷电路板或在微电子封装100之外的其它安装衬底(未示出)。此外,微电子封装100使IC芯片101、102和103免受周围环境的湿气和其它污染,并将其上的机械冲击和应力最小化。为了清除起见,IC系统100的一些元件在图2中省略了,诸如用于封装IC芯片101、102和103的任何覆层(over-molding)、散热器等。
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