[发明专利]一种二氧化钛/硫化镉/二氧化钛复合薄膜及其应用有效
申请号: | 201310718449.7 | 申请日: | 2013-12-23 |
公开(公告)号: | CN103736500A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 张政军;谢拯 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | B01J27/04 | 分类号: | B01J27/04;C02F1/30 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 朱琨 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 硫化 复合 薄膜 及其 应用 | ||
1.一种二氧化钛/硫化镉/二氧化钛复合薄膜,其特征在于,采用连续的原子层沉积方法在二氧化钛/硫化镉薄膜上沉积一层二氧化钛薄膜,得到二氧化钛/硫化镉/二氧化钛复合薄膜。
2.根据权利要求1所述的二氧化钛/硫化镉/二氧化钛复合薄膜,其特征在于,所述二氧化钛薄膜的厚度为0.65-2nm。
3.根据权利要求1所述的二氧化钛/硫化镉/二氧化钛复合薄膜,其特征在于,所述连续的原子层沉积方法的循环次数为20-60次。
4.根据权利要求1所述的二氧化钛/硫化镉/二氧化钛复合薄膜,其特征在于,所述二氧化钛/硫化镉薄膜按以下方法制备而成:
(1)将清洗过的导电玻璃基底固定在电子束蒸发镀膜机的样品台上;
(2)采用钛为靶材,将电子束蒸发镀膜机的腔室抽至3×10-8~5×10-8Torr的高真空;
(3)调整电子束入射角到65~85度,在样品台的基底上倾斜生长出300~600nm厚的钛纳米棒阵列薄膜;
(4)将钛纳米棒阵列薄膜在450℃退火2小时,得到二氧化钛纳米棒阵列薄膜;
(5)通过连续离子层吸附反应沉积法在二氧化钛纳米棒薄膜上沉积硫化镉纳米颗粒,得到二氧化钛/硫化镉薄膜。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤(1)中所述清洗为将电玻璃基底依次在丙酮、酒精、去离子水中进行超声处理。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤(3)中使样品台以0~10rpm的速率旋转。
7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤(4)所述退火使用管式炉在空气气氛下进行。
8.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤(5)中所述硫化镉纳米颗粒的大小为5nm~30nm。
9.权利要求1所述的二氧化钛/硫化镉/二氧化钛复合薄膜在催化降解有机废水中的应用。
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