[发明专利]一种静电夹盘在审
| 申请号： | 201310718868.0 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104733364A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 王洪青;罗伟艺 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静电 | ||
【权利要求书】：
1.一种静电夹盘，其特征在于，包括，设置于所述静电夹盘内部的N块相互独立的导体块，每个导体块连接一个位于所述静电夹盘外部的阻容网络，所述阻容网络具有至少一个可变电容，所述阻容网络的一端接地，其中，N≥2，N为整数，所述静电夹盘由绝缘材料制成。
2.根据权利要求1所述的静电夹盘，其特征在于，所述导体块均匀分布在所述静电夹盘内。
3.根据权利要求1或2所述的静电夹盘，其特征在于，所述N块导体块的材质和尺寸相同。
4.根据权利要求1或2任一项所述的静电夹盘，其特征在于，所述导体块的材质为金属材料。
5.根据权利要求4所述的静电夹盘，其特征在于，所述金属材料为铝、铜中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的静电夹盘，其特征在于，所述阻容网络为高阻滤波器。
7.根据权利要求1或6所述的静电夹盘，其特征在于，所述N个阻容网络的结构相同。
8.根据权利要求1、2、6任一项所述的静电夹盘，其特征在于，所述绝缘材料包括碳化硅、氮化铝、三氧化二铝中的至少一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
