[发明专利]一种具有记忆和多次选择输出功能的像素单元电路无效
申请号: | 201310719144.8 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN103686005A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 骆丽;李瑞菁 | 申请(专利权)人: | 北京交通大学 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H04N5/3745;H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100044 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 记忆 多次 选择 输出 功能 像素 单元 电路 | ||
1.一种具有记忆和多次选择输出功能的像素单元电路,具有六管结构:其特征在于:
所述像素单元电路在传统四管有源像素电路结构上增加了电容充电、放电两个选通晶体管和一个存储电容;电容充电选通晶体管位于传输门晶体管输出端和存储电容上极板之间,控制存储电容充电操作;电容放电选通晶体管位于存储电容上极板和源跟随晶体管栅极之间,控制存储电容放电操作;存储电容上极板位于电容充电选通晶体管和电容放电选通晶体管连接处,下极板接地,起到存储固定瞬时光照信息并使其能被多次选择性输出的作用。
2.如权利要求1所述的具有记忆和多次选择输出功能的像素单元电路,其特征在于,所述六管结构的像素单元电路包括:启动晶体管、传输门晶体管、光电二极管、电容充电选通晶体管、存储电容、电容放电选通晶体管、源跟随晶体管、像素选通晶体管;
所述启动晶体管位于电源正极和浮动扩散节点之间;传输门晶体管位于浮动扩散节点和光电二极管之间;光电二极管位于传输门晶体管和地之间;电容充电选通晶体管位于浮动扩散节点和存储电容上极板之间;存储电容上极板位于电容充电选通晶体管和电容放电选通晶体管连接处,下极板接地;电容放电选通晶体管位于存储电容上极板和源跟随晶体管栅极之间;源跟随晶体管位于电源正极和像素选通晶体管之间;像素选通晶体管位于源跟随晶体管和像素单元输出端之间。
3.如权利要求1所述的具有记忆和多次选择输出功能的像素单元电路,其特征在于:该像素单元还包括:给启动晶体管施加启动信号、传输门晶体管施加传输信号、电容充电选通晶体管施加电容充电选通信号、电容放电选通晶体管施加电容放电选通信号、像素选通晶体管施加像素选择输出信号。
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