[发明专利]一种用于芯片的光刻胶剥离液、制备方法及去胶工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子元件清洗液，特别地涉及一种用于芯片的光刻胶剥离液、制备方法及去胶工艺，属于高精密度电子元器件的精密清洗领域。

背景技术

在现代电子精细加工领域中，集成电路(IC)、大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(ULSI)、发光二极管(LED)芯片等多种半导体元件或液晶板元件具有大量极其细微的回路和电路构造，而为了形成这些构造，都需要使用光刻胶进行处理，该光刻工艺前后通常需要进行数十次，常规的加工处理方法通常是在基板、基片上经多种处理如电镀、化学蒸汽沉积等方法而形成特定功能膜，然后均匀涂覆光刻胶，然后经过曝光、显像处理而形成所需的线路图案，最后蚀刻该功能膜而形成细微回路或电路。而残留的光刻胶层，则需要使用进行剥离。

在芯片制造过程中，清洗芯片表面光刻胶、金属粒子等污染物是去胶的主要目的，去胶是芯片制造工艺中的关键工序，去胶不完全有可能导致整批芯片的报废。因此，芯片表面状态及污染物的去除程度是影响芯片优良率和器件质量与可靠性的最重要的因素之一。

在光刻胶的剥离清洗研究中，长期以来一般使用干法剥离或湿法剥离，但干法处理存在容易遗留残渣等诸多缺陷，因此目前主要使用湿法剥离。湿法剥离的原理是使用剥离液将残留的光刻胶进行溶解，从而得以顺利除去。

通过多年的深入研究，已制备出多种剥离液，并具有各自的优点和适用范围。

CN101295143B公开了一种光刻胶残留物清洗剂，其包括表面活性剂、氟化铵盐、有机磺酸、有机溶剂、渗透剂、含氮羧酸、缓蚀剂和纯水，其对干法剥离后的晶圆片具有良好的清洗作用。

CN101295144A公开了一种光刻胶剥离液，其包括表面活性剂、有机胺、有机溶剂、螯合剂、缓蚀剂和纯水，该剥离液具有良好的清洗效果。

CN1244023C公开了一种光刻胶用剥离液，其包含特定含量的HF酸和不含金属离子的碱形成的盐，水溶性有机溶剂、防腐蚀剂和余量水。该剥离液能够同时满足剥离性和防金属腐蚀性的双重要求。

CN101251722B公开了一种正性光刻胶剥离液，所述剥离液脂肪醇聚氧乙烯醚、环己酮和单乙醇胺，该剥离液对铝基板无腐蚀，清洗后玻璃表面无残留。

CN102147576B公开了一种光刻胶剥离组合物，所述组合物由有机硅类化合物、丙烯酸酯类共聚物和有机溶剂组成，其具有良好的光刻胶溶解性和剥离性。

CN102141743A公开了一种具有金属保护的光刻胶剥离组合物，其包括季铵类氢氧化物、水溶性链烷醇胺、水溶性有机极性溶剂和糖醇类添加剂。该组合物在优异的光刻胶剥离性能外，对金属基镀层膜的抗腐蚀性优良。

CN102012645A公开了一种光刻胶剥离液，其包括水合肼或有机胺化合物、溶剂、抗蚀剂和纯水。该剥离液能够剥离光刻胶，并对金属布线的腐蚀降低至最小。

CN103336412A公开了一种光刻胶剥离液，其包括有机溶剂、解交联催化剂、防腐蚀保护剂及其它添加剂。该剥离液能够缩短去胶周期，且能彻底清除负性光刻胶。

如上所述，虽然现有技术中存在多种光刻胶剥离液，但这些剥离液的去胶机理是基于溶解的单一作用，实现光刻胶的去除，从而导致存在着各种缺陷，例如对金属配线或衬底材料或多或少存在一定程度的腐蚀、光刻胶剥离不彻底等，以及其中存在强腐蚀性物质(如HF)等，从而导致三废多，处理耗费大、污染环境等。

因此，在开发新型光刻胶剥离液的行业需求下，进一步开发更为高效、环境友好的光刻胶剥离液，是当前的亟需所在，新型光刻胶剥离液必将对集成电路、LED以及液晶面板行业的发展具有重要意义。

发明内容

基于上述所述的现有光刻胶剥离液存在的各种缺陷，以及为了寻求新的光刻胶剥离液、制备方法和去胶工艺，本发明基于剥离和溶解的去胶原理，提供了一种用于芯片的光刻胶剥离液，具有剥离效率高、去胶完全、绿色环保、降低污染等诸多优点。

具体而言，本发明提供了一种用于芯片的光刻胶剥离液、制备方法及去胶工艺。

更具体而言，本发明的第一个目的在于提供一种用于芯片的光刻胶剥离液，所述光刻胶剥离液包括下述重量份的各种组分：

需要注意的是，除非另有规定，在本申请中涉及组分时的“包括”，其含义包括封闭式的“由….组成”或其等价定义，以及开放式的“包括”、“包含”等或其等价定义，而不能囿于其单纯的字面含义。

仍需要注意的是，组分“有机胺或有机铵盐”中的“或”仅仅对给组分起作用，即仅对“有机胺”和“有机铵盐”的选择起到限定作用，而对其它组分无限定作用。