[发明专利]金属掺杂锗碲基阻变存储材料及制备方法和阻变单元器件在审
| 申请号： | 201310719978.9 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104733610A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;许磊;李祎;徐荣刚;赵俊峰 | 申请（专利权）人： | 杭州华为数字技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 310053 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 掺杂 锗碲基阻变 存储 材料 制备 方法 单元 器件 | ||
1.一种金属掺杂锗碲基阻变存储材料，其特征在于，所述金属掺杂锗碲基阻变存储材料的分子式为MxGeyTez，其中0<x≤20，35≤y≤55，z=100-x-y，M为Ag、Al、Au、Ti、W、Ta、Fe或Mn。
2.如权利要求1所述的一种金属掺杂锗碲基阻变存储材料，其特征在于，所述金属掺杂锗碲基阻变存储材料中存在M-Te键。
3.如权利要求1所述的一种金属掺杂锗碲基阻变存储材料，其特征在于，所述金属掺杂锗碲基阻变存储材料的分子式为Ag14Ge40Te46或Ag16Ge40Te44。
4.如权利要求1所述的一种金属掺杂锗碲基阻变存储材料，其特征在于，所述金属掺杂锗碲基阻变存储材料的晶化温度为200～350℃。
5.如权利要求1所述的一种金属掺杂锗碲基阻变存储材料，其特征在于，所述金属掺杂锗碲基阻变存储材料为薄膜材料。
6.如权利要求5所述的一种金属掺杂锗碲基阻变存储材料，其特征在于，所述薄膜材料的厚度为5～100nm。
7.一种金属掺杂锗碲基阻变存储材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法为通过磁控溅射法、化学气相沉积法或电子束蒸镀法制备金属掺杂锗碲基阻变存储材料，所述金属掺杂锗碲基阻变存储材料的分子式为MxGeyTez，其中0<x≤20，35≤y≤55，z=100-x-y，M为Ag、Al、Au、Ti、W、Ta、Fe或Mn。
8.如权利要求7所述的一种金属掺杂锗碲基阻变存储材料的制备方法，其特征在于，所述金属掺杂锗碲基阻变存储材料的分子式为Ag14Ge40Te46或Ag16Ge40Te44。
9.如权利要求7所述的一种金属掺杂锗碲基阻变存储材料的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法为在GeTe合金靶材贴M金属箔片磁控溅射或采用GeTe合金靶材与M金属靶材共溅射。
10.一种阻变单元器件，包括阻变存储材料薄膜，非反应电极和反应电极，非反应电极和反应电极分别位于所述阻变存储材料薄膜的两侧并均与所述阻变存储材料薄膜接触，其特征在于，所述阻变存储材料薄膜的材质为金属掺杂锗碲基阻变存储材料，所述金属掺杂锗碲基阻变存储材料的分子式为MxGeyTez，其中0<x≤20，35≤y≤55，z=100-x-y，M为Ag、Al、Au、Ti、W、Ta、Fe或Mn。
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