[发明专利]扩散后方块电阻和少子寿命异常硅片的处理办法有效
| 申请号： | 201310720135.0 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103745940A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 杨佳;杨利利;武建;王绪文;李天钚 | 申请（专利权）人： | 宁夏银星能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 宁夏专利服务中心 64100 | 代理人： | 赵明辉 |
| 地址： | 750021 宁夏回族*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扩散 方块 电阻 少子 寿命 异常 硅片 处理 办法 | ||
1.一种扩散后方块电阻和少子寿命异常硅片的处理办法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）首先对单晶硅片单面扩散后方块电阻和少子寿命异常硅片进行分类，第一类为方阻和少子寿命分别为90-130Ω/sq和0-2μs，第二类为方阻和少子寿命分别为75-90Ω/sq和4-20μs，第三类为方阻和少子寿命分别为40-50Ω/sq和4-20μs，第四类为方阻和少子寿命分别为60-75Ω/sq和2-4μs；
（2）按照步骤（1）的分类标准，对第一类硅片进行如下处理：按原扩散工艺再重复进行一次扩散，扩散时确保三氯氧磷源瓶处于打开状态，扩散炉温度保持在扩散工艺起始温度800-820℃。
2.如权利要求1所述的扩散后方块电阻和少子寿命异常硅片的处理办法，其特征在于：按照步骤（1）的分类标准，对第二类硅片进行如下处理：按原扩散工艺再重复进行一次扩散，扩散时通入三氯氧磷的时间为16-18min，主扩散温度为830-835℃。
3.如权利要求1所述的扩散后方块电阻和少子寿命异常硅片的处理办法，其特征在于：按照步骤（1）的分类标准，对第三类硅片进行如下处理：按原扩散工艺再重复进行一次扩散，但本次扩散时是在硅片的非扩散面上进行的。
4.如权利要求1所述的扩散后方块电阻和少子寿命异常硅片的处理办法，其特征在于：按照步骤（1）的分类标准，对第四类硅片进行如下处理：疏通清洗尾气装置使其畅通，然后炉内不放硅片，空运行2-3次扩散工艺；将异常硅片在酸液中浸泡10-20min，然后按原扩散工艺在硅片的非扩散面重复进行一次扩散。
5.如权利要求4所述的扩散后方块电阻和少子寿命异常硅片的处理办法，其特征在于：其中酸液为10%的HF。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
