[发明专利]一种阵列基板的制备方法及阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

该阵列基板包括电容器区和薄膜晶体管区，电容器区形成电容下极板后，在电容下极板上依次形成覆盖电容器区和薄膜晶体管区的第三绝缘层和第四绝缘层；将第四绝缘层对应于电容下极板上方的部分刻蚀除去；以第四绝缘层作为阻挡层对第三绝缘层进行刻蚀，将第三绝缘层的对应于电容下极板的部分刻蚀为均匀的薄层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：在第四绝缘层上形成覆盖电容器区和薄膜晶体管区的平坦层，将平坦层对应于电容下极板上方的部分刻蚀除去；在电容器区形成位于第三绝缘层的薄层上的电容上极板。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）在衬底上依次形成覆盖薄膜晶体管区和电容器区的缓冲层和第一绝缘层；

2）在第一绝缘层上形成位于薄膜晶体管区的源、漏电极区，源、漏电极区包括源电极区、沟道区和漏电极区；

3）在源、漏电极区上形成覆盖薄膜晶体管区和电容器区的第二绝缘层；

4）在第二绝缘层上形成位于薄膜晶体管区的栅电极和位于电容器区的电容下极板，栅电极对应形成于源、漏电极区的沟道区上方；

5）在栅电极和电容下极板的层上形成对应覆盖薄膜晶体管区和电容器区的第三绝缘层，将第三绝缘层和第二绝缘层蚀刻出显露出源、漏电极区的源电极区和漏电极区的通孔；

6）在第三绝缘层上形成薄膜晶体管区的源电极和漏电极，其中源电极通过通孔耦合至源、漏电极区的源电极区，漏电极通过通孔耦合至源、漏电极区的漏电极区；

7）在源电极和漏电极上形成一覆盖薄膜晶体管区和电容器区的第四绝缘层，对第四绝缘层进行刻蚀，在薄膜晶体管区形成显露出源电极的通孔，在电容器区将第四绝缘层的对应于电容下极板上方的部分刻蚀除去；

8）以第四绝缘层为阻挡层对电容器区的第三绝缘层进行刻蚀，将第三绝缘层的对应于电容下极板上方的部分刻蚀为均匀的薄层。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤2）为在第一绝缘层上形成多晶硅层，将电容器区的多晶硅层刻蚀除去，留下的薄膜晶体管区的多晶硅层即为源、漏电极区，源、漏电极区包括源电极区、沟道区和漏电极区；步骤4）为在第二绝缘层上形成一金属层，刻蚀后，形成薄膜晶体管区的栅电极和电容器区的电容下极板，栅电极对应形成于源、漏电极区的沟道区上方；步骤6）为在第三绝缘层上形成一金属层，刻蚀后形成薄膜晶体管区的源电极和漏电极，其中源电极通过通孔耦合至源、漏电极区的源电极区，漏电极通过通孔耦合至源、漏电极区的漏电极区。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：

9）在第四绝缘层上形成一覆盖薄膜晶体管区和电容器区的平坦层，对平坦层进行刻蚀，在薄膜晶体管区形成显露出源电极的通孔，在电容器区将平坦层的对应于电容下极板上方的部分刻蚀除去；

10）在平坦层上形成覆盖薄膜晶体管区的导电层，其通过形成于第四绝缘层和平坦层的通孔与源电极耦合，在电容器区形成位于第三绝缘层的薄层上的电容上极板。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤10）为在平坦层上形成一导电材料层，导电材料层覆盖薄膜晶体管区和电容器区，且导电材料层通过形成于第四绝缘层和平坦层的通孔与源电极耦合，对导电材料层进行刻蚀，在薄膜晶体管区形成覆盖薄膜晶体管区的导电层，在电容器区形成位于层间绝缘层的薄层上的电容上极板。

7.权利要求2所述的制备方法制备得到的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括薄膜晶体管区和电容器区，所述电容器区包括：

电容下极板；

第三绝缘层，形成于所述电容下极板上，对应覆盖所述电容器区，所述第三绝缘层的对应于所述电容下极板的部分被刻蚀为均匀的薄层；

第四绝缘层，形成于所述第三绝缘层上，所述第四绝缘层的对应于所述电容下极板的部分被刻蚀除去；

平坦化层，形成于所述第四绝缘层上，所述平坦化层的对应于所述电容下极板的部分被刻蚀除去；

电容上极板，形成于所述第三绝缘层的薄层上。