[发明专利]用于显示器装置中含铜金属层的蚀刻组合物及用其蚀刻金属层的方法

权利要求书

1.一种显示器装置的含铜金属膜用蚀刻组合物，包含：

一种以上的铜离子源；

一种以上的氟离子源；

一种以上的无机酸和/或其盐；

第一含氮有机化合物，选自由脂肪胺、芳香胺以及它们的任意组合构成的组；

第二含氮有机化合物，选自由含氮杂环化合物、能进行多重电荷的胺化合物以及它们的任意组合构成的组；以及

一种以上的有机酸和/或其盐。

2.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，

所述第一含氮有机化合物选自由环己胺、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺以及它们的任意的组合构成的组。

3.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，

所述第二含氮有机化合物选自由以下各项构成的组：吡啶、咪唑、嘧啶、聚乙烯吡咯烷、乙二胺、1,6-己二胺、六亚甲基四胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四亚乙基五胺、氨乙基哌嗪、氨乙基乙醇胺、氨基四唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡咯、吡咯啉、苯并三唑、甲苯并三唑以及它们的任意组合。

4.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，

所述铜离子源选自由CuCl₂、CuSO₄、Cu(CH₃COO)₂、Cu(NO₃)₂以及它们的任意组合构成的组。

5.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，

所述氟离子源选自由以下各项构成的组：氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠、氟化氢钾以及它们的任意组合。

6.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，

所述无机酸和/或其盐选自由以下各项构成的组：硝酸、硫酸、磷酸、高氯酸、盐酸、它们的盐、以及它们的任意组合。

7.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，

所述有机酸和/或其盐选自由以下各项构成的组：乙酸、丙烯酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、乳酸、戊二酸、乙醇酸、丙酸、丙二酸、戊酸、草酸、酒石酸、次氨基三乙酸、乙酸铵、乙酸钾、乙酸钠以及它们的任意组合。

8.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，

所述铜离子在蚀刻组合物中的浓度为1,500ppm至20,000ppm。

9.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，

所述氟离子在蚀刻组合物中的浓度为2,000ppm至15,000ppm。

10.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，

所述无机酸和/或其盐的含量相对于蚀刻组合物的总重量为0.3wt.%至5wt.%。

11.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，

所述第一含氮有机化合物和所述第二含氮有机化合物的含量相对于蚀刻组合物的总重量分别为0.05wt.%至5wt.%。

12.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，

所述有机酸和/或其盐的含量相对于蚀刻组合物的总重量为0.1wt.%至8wt.%。

13.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，

还包含一种以上的膦酸，所述膦酸包含一个以上的胺残基，该胺残基选自由以下各项构成的组：多氨基聚醚亚甲基膦酸酯、双（六亚甲基三胺五（亚甲基膦酸））、二亚乙基三胺五（亚甲基膦酸）以及它们的任意组合。

14.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，

具有6,000ppm至8,000ppm的蚀刻能力。

15.一种显示器装置的含铜金属膜的蚀刻方法，包括使权利要求1至14中任一项所述的蚀刻组合物与含铜金属膜的表面接触。