[发明专利]具有应变沟道的晶体管制备方法以及具有应变沟道的晶体管有效
| 申请号： | 201310720622.7 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103745928A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 魏星;母志强;薛忠营;狄增峰;方子韦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 应变 沟道 晶体管 制备 方法 以及 | ||
1.一种具有应变沟道的晶体管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供衬底，所述衬底包括支撑层、支撑层表面的埋层以及埋层表面的器件层；
形成晶体管，包括在器件层中形成源极和漏极，并在器件层表面形成栅极；
在器件层表面形成绝缘保护层，所述绝缘保护层亦覆盖所述栅极；
在所述绝缘保护层表面形成应力层，所述应力层能够在器件层中引入张应力；
通过去除部分器件层以及部分埋层的方式使晶体管栅极导电沟道所在位置的器件层悬空，器件层在应力层的作用下发生卷曲，从而使晶体管栅极导电沟道发生张应变。
2.根据权利要求1所述的具有应变沟道的晶体管制备方法，其特征在于，所述器件层的材料为单晶硅，所述应变层的材料选自于W、Ti、Cr、Pt、Au、Pd中的一种或者多种。
3.根据权利要求1所述的具有应变沟道的晶体管制备方法，其特征在于，所述埋层的材料选自于氧化硅和氮化硅中的一种。
4.根据权利要求1所述的具有应变沟道的晶体管制备方法，其特征在于，所述绝缘保护层的材料选自于氧化硅和氮化硅中的一种。
5.一种具有应变沟道的晶体管，包括衬底和晶体管，其特征在于，
所述衬底包括支撑层、支撑层表面的埋层以及埋层表面的器件层；
所述晶体管包括在器件层中的源极和漏极，以及器件层表面的栅极；
在器件层表面覆盖有绝缘保护层，所述绝缘保护层亦覆盖所述栅极；
所述绝缘保护层表面覆盖有应力层，所述应力层在器件层中引入张应力；
晶体管栅极导电沟道位置的器件层由于部分器件层以及部分埋层被去除而悬空，器件层在应力层的作用下发生卷曲，从而使晶体管栅极导电沟道发生张应变。
6.根据权利要求5所述的具有应变沟道的晶体管，其特征在于，所述器件层的材料为单晶硅，所述应变层的材料选自于W、Ti、Cr、Pt、Au、Pd中的一种或者多种。
7.根据权利要求5所述的具有应变沟道的晶体管，其特征在于，所述埋层的材料选自于氧化硅和氮化硅中的一种。
8.根据权利要求5所述的具有应变沟道的晶体管，其特征在于，所述绝缘保护层的材料选自于氧化硅和氮化硅中的一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
