[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换活性层，其中，所述光电转换活性层为包含无机窄带隙半导体纳米材料和透明导电高分子的体相异质结。

2.根据权利要求1的太阳能电池，其中，所述无机窄带隙半导体纳米材料与所述透明导电高分子的质量比为3:1到6:1。

3.根据权利要求1的太阳能电池，其中，所述透明导电高分子为PEDOT:PSS或G-PEDOT:PSS。

4.根据权利要求1的太阳能电池，其中，所述无机窄带隙半导体为硅。

5.根据权利要求1的太阳能电池，其中，所述纳米材料为纳米线、纳米球或纳米管。

6.根据权利要求1-5任一项的太阳能电池，其中，所述第一电极为透明或半透明电极。

7.根据权利要求6的太阳能电池，其中，所述第一电极为ITO玻璃。

8.根据权利要求7的太阳能电池，其中，在所述ITO玻璃上设置有PEDOT:PSS缓冲层。

9.根据权利要求1-5任一项的太阳能电池，其中，在所述无机窄带隙半导体纳米材料表面修饰有金属纳米颗粒。

10.根据权利要求9的太阳能电池，其中，所述金属选自铂、金或银。

11.一种制备太阳能电池的方法，其中，包括如下步骤：

制备所述第一电极的步骤；

在所述第一电极上形成所述光电转换活性层的步骤，以及

在所述光电转换活性层上形成所述第二电极的步骤；

其中，所述光电转换活性层为包含无机窄带隙半导体纳米材料和透明导电高分子的体相异质结。

12.根据权利要求11的方法，其中，还包括对所述窄带隙半导体纳米材料进行金属纳米颗粒修饰的步骤。

13.根据权利要求11的方法，其中，还包括在所述第一电极和所述光电转换活性层之间设置缓冲层的步骤。

14.根据权利要求11的方法，其中，制备所述光电转换活性层的步骤包括：

制备所述无机窄带隙半导体纳米材料；

将所述透明导电高分子配制成溶液；

将所述无机窄带隙半导体纳米材料与所述透明导电高分子的溶液混合，将得到的混合物移至所述第一电极的表面；

将所述第一电极在氩气的保护下进行干燥处理。

15.根据权利要求11至14任一项的方法，其中，所述无机窄带隙半导体纳米材料为硅纳米线，所述硅纳米线的制备步骤包括：

将硅片分别在丙酮、乙醇及水中超声；

将所述硅片使用铬酸洗液浸泡后使用水清洗；

将所述硅片在AgNO₃的HF水溶液中进行刻蚀；

将刻蚀完成后的硅片在王水中浸泡；

将所述硅片用水清洗，晾干。