[发明专利]一种高纯度球形SiO2纳米粉制作工艺有效
申请号: | 201310722433.3 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN103754888A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 杜金林;胡兆敏;唐俊 | 申请(专利权)人: | 四川坤森微纳科技股份有限公司 |
主分类号: | C01B33/18 | 分类号: | C01B33/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王学强;魏晓波 |
地址: | 610404 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纯度 球形 sio sub 纳米 制作 工艺 | ||
1.一种高纯度球形SiO2纳米粉制作工艺,其特征在于,包括以下步骤:
A、备料;
B、融料;
C、高压吹氧;
D、产物收集;
E、二次反应;
F、产品收集;
G、产品提纯。
2.根据权利要求1所述的一种高纯度球形SiO2纳米粉制作工艺,其特征在于,步骤A中所述的材料为金属硅。
3.根据权利要求2所述的一种高纯度球形SiO2纳米粉制作工艺,其特征在于,步骤B中融料的温度为1500℃左右,在加热过程中使得提纯后得到的纯金属硅成为液态硅。
4.根据权利要求3所述的一种高纯度球形SiO2纳米粉制作工艺,其特征在于,步骤C中向液态硅中吹入高压氧气,氧气与液态硅反应,放热并将液态金属雾化成为SiO2、SiO以及Si的混合物。
5.根据权利要求4所述的一种高纯度球形SiO2纳米粉制作工艺,其特征在于,步骤D中采用微孔陶瓷过滤器对雾化的SiO2、SiO以及Si的混合物进行收集。
6.根据权利要求5所述的一种高纯度球形SiO2纳米粉制作工艺,其特征在于,步骤E中将SiO2、SiO以及Si的混合物加热到1200℃左右,并继续向其通入高压氧气,使其进行表面扩散与气固反应,直至混合物全部氧化为SiO2。
7.根据权利要求6所述的一种高纯度球形SiO2纳米粉制作工艺,其特征在于,通过步骤F先对产品进行收集,在产品收集完成后再对纯度较低的产品进行步骤G的提纯处理。
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