[发明专利]一种高纯度球形SiO2纳米粉制作工艺有效

专利信息
申请号: 201310722433.3 申请日: 2013-12-24
公开(公告)号: CN103754888A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 杜金林;胡兆敏;唐俊 申请(专利权)人: 四川坤森微纳科技股份有限公司
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王学强;魏晓波
地址: 610404 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 纯度 球形 sio sub 纳米 制作 工艺
【权利要求书】:

1.一种高纯度球形SiO2纳米粉制作工艺,其特征在于,包括以下步骤:

A、备料;

B、融料;

C、高压吹氧;

D、产物收集;

E、二次反应;

F、产品收集;

G、产品提纯。

2.根据权利要求1所述的一种高纯度球形SiO2纳米粉制作工艺,其特征在于,步骤A中所述的材料为金属硅。

3.根据权利要求2所述的一种高纯度球形SiO2纳米粉制作工艺,其特征在于,步骤B中融料的温度为1500℃左右,在加热过程中使得提纯后得到的纯金属硅成为液态硅。

4.根据权利要求3所述的一种高纯度球形SiO2纳米粉制作工艺,其特征在于,步骤C中向液态硅中吹入高压氧气,氧气与液态硅反应,放热并将液态金属雾化成为SiO2、SiO以及Si的混合物。

5.根据权利要求4所述的一种高纯度球形SiO2纳米粉制作工艺,其特征在于,步骤D中采用微孔陶瓷过滤器对雾化的SiO2、SiO以及Si的混合物进行收集。

6.根据权利要求5所述的一种高纯度球形SiO2纳米粉制作工艺,其特征在于,步骤E中将SiO2、SiO以及Si的混合物加热到1200℃左右,并继续向其通入高压氧气,使其进行表面扩散与气固反应,直至混合物全部氧化为SiO2

7.根据权利要求6所述的一种高纯度球形SiO2纳米粉制作工艺,其特征在于,通过步骤F先对产品进行收集,在产品收集完成后再对纯度较低的产品进行步骤G的提纯处理。

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