[发明专利]有机发光显示器件及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光显示器件的制造方法，其包括如下步骤：

S1：在基板上沉积SiNx层以及反射层；

S2：沉积覆盖所述SiNx层及所述反射层的SiO层；

S3：制作多晶硅层，接着在所述多晶硅层上沉积栅绝缘层，接着在所述栅绝缘层上溅射第一金属层并形成栅极，接着形成层间绝缘层并在所述层间绝缘层上沉积第二金属层作为导电层；所述多晶硅层包括源极以及漏极，所述导电层与所述源极及漏极相连接；以及

S4：沉积钝化绝缘层，接着采用溅射的方法形成发射电极，所述发射电极与所述导电层相连接。

2.如权利要求1所述的有机发光显示器件的制造方法，其特征在于：步骤S1中，首先在所述基板上沉积所述SiNx层，采用光刻的方法，形成图案；接着继续沉积所述反射层，采用光刻的方法形成图案。

3.如权利要求2所述的有机发光显示器件的制造方法，其特征在于：步骤S1中，所述反射层的反射材料为Al、Al的合金、Al-Nd、Ag或者Ag的合金当中的一种或者多种。

4.如权利要求1所述的有机发光显示器件的制造方法，其特征在于：步骤S3中，采用化学气相沉积的方法，在所述多晶硅层上沉积所述栅绝缘层；采用光刻的方法蚀刻所述第一金属层以形成所述栅极；采用化学气相沉积的方法，形成所述层间绝缘层；采用光刻的方法蚀刻所述第二金属层，形成作为所述导电层的图形。

5.如权利要求4所述的有机发光显示器件的制造方法，其特征在于：步骤S3中，在形成所述层间绝缘层之后、制作所述导电层之前还包括如下步骤：

采用光刻的方法在所述层间绝缘层上形成接触孔图案，再采用干刻的方法在所述层间绝缘层上形成第一接触孔；所述导电层通过所述第一接触孔与所述源极及漏极相连接。

6.如权利要求1所述的有机发光显示器件的制造方法，其特征在于：步骤S4中，采用化学气相沉积的方法沉积所述钝化绝缘层；在形成所述钝化绝缘层之后、制作所述发射电极之前还包括采用光刻的方法在所述钝化绝缘层上形成第二接触孔的步骤；所述发射电极通过所述第二接触孔与所述导电层相连接。

7.如权利要求1所述的有机发光显示器件的制造方法，其特征在于：所述制造方法在步骤S4之后，还包括如下步骤：

S5：采用化学气相沉积的方法，继续沉积柱体，并采用光刻的方法形成图形，得到所述有机发光显示器件。

8.一种有机发光显示器件，其包括反射层、多晶硅层、栅极、导电层、发射电极，所述多晶硅层包括源极以及漏极，所述导电层与所述源极及漏极相连接，所述发射电极与所述导电层相连接，其特征在于：所述反射层与所述发射电极是分离的。

9.如权利要求8所述的有机发光显示器件，其特征在于：所述有机发光显示器件还包括基板、SiNx层、SiO层、栅绝缘层、层间绝缘层、钝化绝缘层以及柱体，其中所述反射层以及所述SiNx层沉积在所述基板上，所述SiO层覆盖所述SiNx层及所述反射层，所述多晶硅层沉积在所述SiO层上，所述栅绝缘层沉积在所述多晶硅层上，所述栅极位于所述多晶硅层之上，所述层间绝缘层沉积在所述栅绝缘层及所述栅极上，所述导电层沉积在所述层间绝缘层上，所述钝化绝缘层沉积在所述导电层及所述层间绝缘层上，所述柱体沉积在所述钝化绝缘层及所述发射电极上。

10.如权利要求8所述的有机发光显示器件，其特征在于：所述反射层的反射材料为Al、Al的合金、Al-Nd、Ag或者Ag的合金当中的一种或者多种；所述发射电极的电极材料为氧化铟锡或氧化铟锌。