[发明专利]铜膜形成用组合物、铜膜形成方法、铜膜、配线基板以及电子设备有效
申请号: | 201310722656.X | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN103897494B | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 有留功;桑田博昭;田中健朗;渡部和人;下田杉郎;大喜多健三 | 申请(专利权)人: | JSR株式会社 |
主分类号: | C09D11/52 | 分类号: | C09D11/52;H05K1/09;G06F3/041 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 日本东京港*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 组合 方法 铜膜 配线基板 以及 电子设备 | ||
1.一种铜膜形成用组合物,其特征在于包括:
(A)选自由有机酸铜、氢氧化铜以及氧化铜所组成的组群中的至少1种铜化合物;
(B)卤素化合物;以及
(C)还原剂;
所述(B)成分的卤素化合物的含量为全部成分的5质量%~20质量%。
2.根据权利要求1所述的铜膜形成用组合物,其特征在于:
所述(A)成分的铜化合物为选自由以下化合物所组成的组群中的至少1种:甲酸铜、乙酸铜、丙酸铜、丁酸铜、戊酸铜、己酸铜、乳酸铜、苹果酸铜、柠檬酸铜、苯甲酸铜、邻苯二甲酸铜、水杨酸铜、肉桂酸铜、乙二酸铜、丙二酸铜、丁二酸铜、氢氧化铜以及氧化铜与它们的水合物。
3.根据权利要求1所述的铜膜形成用组合物,其特征在于:
所述(B)成分的卤素化合物为选自由以下化合物所组成的组群中的至少1种:选自由锂、钠、钾、铷、铯、钙、镁、锶、钡、镭、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、钌、铑、钯、银、金及铂所组成的组群中的至少1种金属的卤化物,卤化氢,卤化铵类,及胺类的氢卤酸盐。
4.根据权利要求1所述的铜膜形成用组合物,其特征在于:
所述(C)成分的还原剂为选自由胺、还原性羧酸以及其盐与其酯、多元醇与醛所组成的组群中的至少1种。
5.一种铜膜形成方法,其特征在于包括:
(1)于基板上形成根据权利要求1至4中任一项所述的铜膜形成用组合物的涂膜的步骤;以及
(2)对所述涂膜进行加热的步骤。
6.一种铜膜,其特征在于:
利用根据权利要求5所述的铜膜形成方法而形成。
7.根据权利要求6所述的铜膜,其特征在于:
含有卤素原子。
8.根据权利要求7所述的铜膜,其特征在于:
将所述膜中的铜原子设为100时的所述卤素原子的含有比率为0.001~10。
9.一种配线基板,其特征在于:
具有根据权利要求7所述的铜膜。
10.一种电子设备,其特征在于包括:
触摸屏,具有根据权利要求9所述的配线基板。
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