[发明专利]铜膜形成用组合物、铜膜形成方法、铜膜、配线基板以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201310722656.X 申请日: 2013-12-24
公开(公告)号: CN103897494B 公开(公告)日: 2017-10-27
发明(设计)人: 有留功;桑田博昭;田中健朗;渡部和人;下田杉郎;大喜多健三 申请(专利权)人: JSR株式会社
主分类号: C09D11/52 分类号: C09D11/52;H05K1/09;G06F3/041
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 臧建明
地址: 日本东京港*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 形成 组合 方法 铜膜 配线基板 以及 电子设备
【权利要求书】:

1.一种铜膜形成用组合物,其特征在于包括:

(A)选自由有机酸铜、氢氧化铜以及氧化铜所组成的组群中的至少1种铜化合物;

(B)卤素化合物;以及

(C)还原剂;

所述(B)成分的卤素化合物的含量为全部成分的5质量%~20质量%。

2.根据权利要求1所述的铜膜形成用组合物,其特征在于:

所述(A)成分的铜化合物为选自由以下化合物所组成的组群中的至少1种:甲酸铜、乙酸铜、丙酸铜、丁酸铜、戊酸铜、己酸铜、乳酸铜、苹果酸铜、柠檬酸铜、苯甲酸铜、邻苯二甲酸铜、水杨酸铜、肉桂酸铜、乙二酸铜、丙二酸铜、丁二酸铜、氢氧化铜以及氧化铜与它们的水合物。

3.根据权利要求1所述的铜膜形成用组合物,其特征在于:

所述(B)成分的卤素化合物为选自由以下化合物所组成的组群中的至少1种:选自由锂、钠、钾、铷、铯、钙、镁、锶、钡、镭、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、钌、铑、钯、银、金及铂所组成的组群中的至少1种金属的卤化物,卤化氢,卤化铵类,及胺类的氢卤酸盐。

4.根据权利要求1所述的铜膜形成用组合物,其特征在于:

所述(C)成分的还原剂为选自由胺、还原性羧酸以及其盐与其酯、多元醇与醛所组成的组群中的至少1种。

5.一种铜膜形成方法,其特征在于包括:

(1)于基板上形成根据权利要求1至4中任一项所述的铜膜形成用组合物的涂膜的步骤;以及

(2)对所述涂膜进行加热的步骤。

6.一种铜膜,其特征在于:

利用根据权利要求5所述的铜膜形成方法而形成。

7.根据权利要求6所述的铜膜,其特征在于:

含有卤素原子。

8.根据权利要求7所述的铜膜,其特征在于:

将所述膜中的铜原子设为100时的所述卤素原子的含有比率为0.001~10。

9.一种配线基板,其特征在于:

具有根据权利要求7所述的铜膜。

10.一种电子设备,其特征在于包括:

触摸屏,具有根据权利要求9所述的配线基板。

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