[发明专利]星用介质材料二次电子发射系数的测试方法和测试系统

权利要求书

1.一种星用介质材料二次电子发射系数的测试系统，其特征在于，包括：

样品台，用于放置至少一个星用介质材料制成的测试样品；

真空系统，用于将所述样品台抽成真空；

电子枪，用于发射高能电子辐照测试样品；

入射电子测试法拉第筒，所述入射电子测试法拉第筒放在所述样品台上，置于所述电子枪产生的高能电子辐照下，并且与第一微电流计相连，用于测试电子枪发射的高能电子的入射电子电流强度；

二次电子收集极，放置在所述测试样品的上方且与第二微电流计相连，用于测试所述测试样品的二次电子电流强度。

2.根据权利要求1所述的星用介质材料二次电子发射系数的测试系统，其特征在于，还包括：

旋转机构，所述旋转机构与样品台相连接，用于旋转样品台；

观测窗，用于观察样品台旋转的位置。

3.根据权利要求1所述的星用介质材料二次电子发射系数的测试系统，其特征在于，还包括：

电子枪控制单元，用于控制所述电子枪发射电子的能量、束流强度和发射的频率。

4.根据权利要求1所述的星用介质材料二次电子发射系数的测试系统，其特征在于，所述真空系统将所述样品台抽成真空状态，真空度要求优于5×10^-4Pa。

5.根据权利要求1所述的星用介质材料二次电子发射系数的测试系统，其特征在于，所述电子枪控制单元控制所述电子枪发射电子的能量范围为0.3—4keV，束流强度为50nA-20μA，发射频率为单次发射、最大发射频率为1MHz。

6.一种星用介质材料二次电子发射系数的测试方法，其特征在于，包括步骤:

S21：将至少一个星用介质材料制成的测试样品置于样品台上，并使用真空系统将所述样品台抽真空；

S22：开启电子枪，产生高能电子；

S23：所述电子枪发射单个脉冲电子束，发射的电子束照射放在所述样品台上的入射电子测试法拉第筒，通过与入射电子测试法拉第筒连接的第一微电流计测得单个脉冲电子束的入射电流强度；

S24：旋转所述样品台，将任一测试样品置于单个脉冲电子束辐照下，利用放置在测试样品上方的二次电子收集极和与所述二次电子收集极相连的第二微电流计测得该测试样品的二次电子发射电流；

S25：通过比较入射电流强度和二次电子发射电流，即可获得该能量电子发射下的被辐照的测试样品的二次电子发射系数。

7.根据权利要求6所述的星用介质材料二次电子发射系数的测试方法，其特征在于，还包括：

通过旋转机构旋转样品台，分别将其他测试样品置于电子辐照下，利用二次电子收集极和第二微电流计测得不同测试样品的二次电子发射电流；

再比较入射电流强度和不同测试样品的二次电子发射电流，即可获得该能量电子发射下的被辐照的不同测试样品的二次电子发射系数。

8.根据权利要求6所述的星用介质材料二次电子发射系数的测试方法，其特征在于，还包括：

通过电子枪控制单元调节电子枪发射电子的能量、束流强度和发射的频率，并且重复上述步骤S22至S25，获得测试样品二次电子发射系数随入射电子能量的变化趋势。

9.根据权利要求6所述的星用介质材料二次电子发射系数的测试方法，其特征在于，所述使用真空系统将所述样品台抽真空，真空度要求优于5×10^-4Pa。

10.根据权利要求6所述的星用介质材料二次电子发射系数的测试方法，其特征在于，所述电子枪控制单元控制所述电子枪发射电子的能量范围为0.3—4keV，束流强度为50nA-20μA，发射频率为单次发射、最大发射频率为1MHz。