[发明专利]掺杂ZnO纳米线透明导电陷光结构的硅太阳电池在审
| 申请号： | 201310723503.7 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103681887A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 杨志;黄达;耿会娟;王英;张亚非 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 zno 纳米 透明 导电 结构 太阳电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种掺杂ZnO纳米线透明导电陷光结构的硅太阳电池，其特征在于，所述硅太阳电池包括由下而上依次逐层连接的背电极、p型硅衬底、n型层、减反射层和前电极；在所述n型层和所述减反射层之间分布有掺杂ZnO纳米线。
2.根据权利要求1中所述的硅太阳电池，其特征在于，所述掺杂ZnO纳米线为掺杂铝或硼的ZnO纳米线。
3.根据权利要求1或2中所述的硅太阳电池，其特征在于，所述掺杂ZnO纳米线通过碳热还原法制备。
4.根据权利要求1中所述的硅太阳电池，其特征在于，所述掺杂ZnO纳米线的直径在10-100纳米之间。
5.根据权利要求1中所述的硅太阳电池，其特征在于，所述掺杂ZnO纳米线的单根长度大于1000纳米。
6.根据权利要求1中所述的硅太阳电池，其特征在于，所述掺杂ZnO纳米线的分布密度为1-10万根/平方毫米。
7.根据权利要求1中所述的硅太阳电池，其特征在于，所述背电极为铝制电极。
8.根据权利要求1中所述的硅太阳电池，其特征在于，所述减反射层为氮化硅或者二氧化硅。
9.根据权利要求1中所述的硅太阳电池，其特征在于，所述前电极为银栅电极。
10.根据权利要求1中所述的硅太阳电池，其特征在于，所述硅太阳电池是单晶硅太阳电池或多晶硅太阳电池。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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