[发明专利]快闪存储器绝缘介质层的制作方法和快闪存储器结构

权利要求书

1.一种快闪存储器绝缘介质层的制作方法，其特征在于，包括：

对形成有隧道氧化物层和浮栅多晶硅层的叠层结构的衬底进行氮化处理，以在所述浮栅多晶硅层上形成第一氮化层；

在所述第一氮化层上形成第一氧化物层；

在所述第一氧化物层上形成第二氮化层；

对所述第二氮化层进行氧化处理，使得所述第二氮化层一部分形成第二氧化物层；

对所述第二氧化物层的表面进行氮化处理，以形成第三氮化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用缝隙平面天线工艺对形成有隧道氧化物层和浮栅多晶硅层的叠层结构的衬底进行氮化处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用缝隙平面天线工艺对形成有隧道氧化物层和浮栅多晶硅层的叠层结构的衬底进行氮化处理是在Ar和N2的氛围中进行的，并且温度范围为400至550摄氏度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用现场蒸汽生成工艺在所述第一氮化层上形成第一氧化物层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述采用现场蒸汽生成工艺在所述第一氮化层上形成第一氧化物层的温度范围为900至1200摄氏度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用炉管工艺在所述第一氧化物层上形成第二氮化层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述采用炉管工艺在所述第一氧化物层上形成第二氮化层的温度范围为700至900摄氏度。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用现场蒸汽生成工艺对所述第二氮化层进行氧化处理。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述采用现场蒸汽生成工艺对所述第二氮化层进行氧化处理的温度范围为900至1200摄氏度。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用缝隙平面天线工艺对所述第二氧化物层的表面进行氮化处理。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述采用缝隙平面天线工艺对所述第二氧化物层的表面进行氮化处理是在Ar和N2的氛围中进行的，并且温度范围为400至550摄氏度。

12.一种快闪存储器绝缘介质层的制作方法，其特征在于，包括：

利用缝隙平面天线工艺对形成有隧道氧化物层和浮栅多晶硅层的叠层结构的衬底进行氮化处理，以在所述浮栅多晶硅层上形成第一氮化层；

利用现场蒸汽生成工艺在所述第一氮化层上形成第一氧化物层；

利用炉管工艺在所述第一氧化物层上形成第二氮化层；

利用现场蒸汽生成工艺对所述第二氮化层进行氧化处理，使得所述第二氮化层一部分形成第二氧化物层；

利用缝隙平面天线工艺对所述第二氧化物层的表面进行氮化处理，以形成第三氮化层。

13.一种快闪存储器结构，包括：

衬底；

形成在衬底上的隧道氧化物层和浮栅多晶硅层的叠层结构；

形成在所述浮栅多晶硅层上的第一氮化层；

形成在所述第一氮化层上的第一氧化物层；

形成在所述第一氧化物层上的第二氮化层；

第二氧化物层，所述第二氧化物层是对所述第二氮化层进行氧化处理使得所述第二氮化层一部分氧化形成的；

形成在所述第二氧化物层上的第三氮化层；以及

在所述第三氮化物层上形成的控制栅层。