[发明专利]一种互补型薄膜晶体管驱动背板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种互补型薄膜晶体管驱动背板及其制备方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管（TFT，Thin-Film Transistor）目前正在从技术研发领域转向量产，各个面板厂家不断推出新的样机和产品。尤其对于氧化铟镓锡（IGZO）材料，深得市场认可。然而，目前该材料主要为N型薄膜晶体管制造材料，其化学特性决定无法实现互补型薄膜晶体管驱动背板的制造需要，具体地说，无法实现把周边驱动电路做在基板阵列上，集成度低，产品轻巧特征受限。在互补型薄膜晶体管驱动背板制造方面，目前成熟的技术仍然以低温多晶硅技术为主，该技术又存在技术和设备复杂、制备成本高等缺点。因此，互补型薄膜晶体管驱动背板（主要集中在P型薄膜晶体管）的制备，成为各大面板厂商和科研单位的研究热点和瓶颈；目前，制备方法中所出现的问题集中在因制造过程中对于互补型薄膜晶体管驱动背板中的P型薄膜晶体管、N型薄膜晶体管及像素电极的区域不易界定，因界定不准而极易造成互补型薄膜晶体管驱动背板生产良率底的问题，以及因步骤过于繁琐，光罩掩膜使用次数过多而造成的制备成本过高的问题。

因此，针对上述问题本发明提出一种新的互补型薄膜晶体管驱动背板及其制备方法、显示装置。

发明内容

本发明提供一种互补型薄膜晶体管驱动背板及其制备方法、显示装置，该制备方法首先制备SnO材料，再利用扩散阻挡层选择性高温氧化SnO材料。被扩散阻挡层保护区域未被氧化，为p型有源层的材料，而未保护区域的SnO被氧化成为SnOx，其中,1<x<2，为n型有源层的材料。

为减少光罩掩膜版，降低制备成本，本发明涉及一种多灰阶曝光刻蚀方案制备不同特性的有源层。即光刻、显影、剥离后形成三个区域：无光刻胶区，N型薄膜晶体管制备区和P型薄膜晶体管制备区。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：一种互补型薄膜晶体管驱动背板的制备方法，包括如下步骤：

S1、在衬底基板上形成下层电极；

S2、依次设置连续生长介质层、半导体层和扩散保护层；

S3、通过多灰阶光罩曝光工序形成无光刻胶区、N型薄膜晶体管制备区和P型薄膜晶体管制备区；

S4、通过等离子体灰化工序去除N型薄膜晶体管制备区的光刻胶层；

S5、去除N型薄膜晶体管制备区的扩散保护层；

S6、去除P型薄膜晶体管制备区的光刻胶层；形成具有P型有源层的P型薄膜晶体管；

S7、对衬底基板进行氧化处理；形成具有N型有源层的N型薄膜晶体管；

S8、在衬底基板上设置钝化层；

S9、在钝化层上形成上层电极。

进一步地，还包括对制备后的互补型薄膜晶体管驱动背板进行退火处理的步骤。

进一步地，所述半导体层材料为SnO材料。

进一步地，经氧化处理后的N型薄膜晶体管制备区内的半导体层，其材料由SnO被氧化成SnOx，其中1<x<2；被用作N型薄膜晶体管中的N型有源层；而在氧化处理过程中，由于有扩散保护层的保护，因此P型薄膜晶体管的P型有源层没有经受氧化处理。

进一步地，所述步骤S2中所述半导体层采用溅射工艺、溶胶-凝胶工序、真空蒸镀工序、喷涂工序其中一种制得。

进一步地，在钝化层上通过溅射工艺设置上电极层，对上电极层进行图形化处理，形成多个上层电极。

一种如上述中所述制备方法制得的互补型薄膜晶体管驱动背板，有一个衬底基板，在该衬底基板上设置有多个P型薄膜晶体管制备区、多个N型薄膜晶体管制备区，以及设置在P型薄膜晶体管制备区与N型薄膜晶体管制备区之间的无光刻胶区。

一种显示装置，包括如上述中所述的互补型薄膜晶体管驱动背板。

本发明与现有技术相比具有以下的优点：