[发明专利]用于变频器三相输入整流电路的晶闸管触发电路

权利要求书

1.用于变频器三相输入整流电路的晶闸管触发电路，其特征在于：它包括快恢复二极管、充电电容、MOSFET、MOSFET栅极驱动调整电路和晶闸管驱动电路；本触发电路的输入端输入相电压，相电压经过快恢复二极管后与充电电容的正极连接，充电电容的正极与MOSFET的源极连接，MOSFET的漏极通过晶闸管驱动电路与待触发晶闸管的门极连接，充电电容的负极分别与待触发晶闸管的阴极和变频器整流电路正母线连接，充电电容与MOSFET的栅极之间设有MOSFET栅极驱动调整电路。

2.根据权利要求1所述的用于变频器三相输入整流电路的晶闸管触发电路，其特征在于：所述的MOSFET栅极驱动调整电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻和稳压二极管，其中第一电阻的一端与所述的充电电容正极连接，第一电阻的另一端通过第二电阻与充电电容的负极连接，第一电阻与第二电阻的连接节点通过稳压二极管和第三电阻与MOSFET的栅极连接。

3.根据权利要求1或2所述的用于变频器三相输入整流电路的晶闸管触发电路，其特征在于：所述的晶闸管驱动电路为三段式晶闸管驱动电路，包括三条相互并联的支路，第一条支路为第四电阻，第二条支路为顺次连接的第五电阻和第二电容，第三条支路为顺次连接的第六电阻和第三电容，其中第二电容和第三电容相互并联；第四至第六电阻R4、R5、R6的阻值关系为R6<<R5<<R4，第二第三电容C2、C3的容值关系为C3<<C2。

4.根据权利要求1或2所述的用于变频器三相输入整流电路的晶闸管触发电路，其特征在于：所述的MOSFET的漏极与晶闸管驱动电路之间串联有单向导通二极管，其中单向导通二极管的阳极与MOSFET的漏极连接。

5.一种变频器三相输入整流电路，其特征在于：它包括依次连接的上电缓冲电路和桥式整流电路，桥式整流电路的上桥臂三个器件为晶闸管，下桥臂三个器件为二极管，每个晶闸管的触发电路为权利要求1至权利要求4中任意一项所述的用于变频器三相输入整流电路的晶闸管触发电路。

6.根据权利要求5所述的变频器三相输入整流电路，其特征在于：本整流电路还包括3组单刀双掷辅助接触器，分别为第一、二、三单刀双掷辅助接触器，第一、二、三单刀双掷辅助接触器的输入端分别输入三相电压，第一、二、三单刀双掷辅助接触器的一个输出端分别与所述的上电缓冲电路的输入端连接，第一、二、三单刀双掷辅助接触器的另一个输出端分别与用于变频器三相输入整流电路的晶闸管触发电路的输入端连接。