[发明专利]存储数据的方法及存储装置

说明书

技术领域

本发明涉及存储技术领域，特别是涉及一种存储数据的方法及存储装置。

背景技术

固态硬盘一般采用与非门闪存（NAND Flash）来实现。NAND Flash芯片的使用寿命一般采用擦写次数（P/E Cycle）来确定。单层式储存单元类型的NAND Flash芯片可10万次擦写，多层式储存单元类型的NAND Flash芯片一般小于1万次擦写，三层式存储单元类型的NAND Flash芯片一般小于1千次擦写。P/E Cycle次数降低，表明固态硬盘的寿命降低，同时在接近P/E Cycle寿命时，固态硬盘的可靠性也会急剧衰减。

提高固态硬盘寿命的方法主要是坏块管理技术和坏页管理技术，两者本质上都是按照厂商标准配置的冗余比（即有效数据与校验数据的比值），将存储芯片内的块和页划分为健康块及坏块，将存储芯片内的页划分为健康页及坏页，其中，健康块和健康页可以继续使用，坏块和坏页禁止使用。

本申请的发明人在长期的研发中发现，上述两种提高固态硬盘寿命的方法中，Flash芯片存储单元利用率低，简单地将Flash芯片内部的存储单元划为可用与不可用，已经不能满足固态硬盘长寿命、高容量和低成本的发展需求。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种存储数据的方法及存储装置，能够提高存储单元利用率，提高存储装置的使用寿命和可靠性，降低存储装置的成本。

第一方面，本发明提供一种存储数据的方法，所述方法用于空白存储单元的健康等级至少分为三级的存储装置，包括：根据待存储数据的大小在存储装置中选择空白存储单元；根据与所述空白存储单元的健康等级对应的编码方式对所述待存储数据进行编码处理，以获得所述数据的校验数据，其中所述健康等级用于指示所述空白存储单元在保证存储的数据可靠性的基础上能够存储的数据的大小；将所述数据以及所述校验数据存储在所述空白存储单元中。

在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述空白存储单元至少包括第一空白存储单元以及第二空白存储单元，其中所述第一空白存储单元的健康等级高于所述第二空白存储单元的健康等级；所述将所述数据以及所述校验数据存储在所述空白存储单元中包括：将所述数据以及所述校验数据分别存储到第一空白存储单元以及第二空白存储单元中，且所述第一空白存储单元的校验区中存储有存储于第二空白存储单元的数据区中数据的校验数据。

结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述根据待存储数据的大小在存储装置中选择空白存储单元的步骤之前，还包括：确定所述空白存储单元的健康等级。

结合第一方面的第二种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述确定所述空白存储单元的健康等级包括：记录所述空白存储单元的读状态参数、写状态参数以及擦状态参数三者中的一种或一种以上；获取所述空白存储单元所属的存储空间的健康等级；根据所述空白存储单元的读状态参数、写状态参数、擦状态参数三者中的一种或一种以上以及所述空白存储单元所属的存储单元的健康等级，计算所述空白存储单元的健康值；根据所述空白存储单元的健康值以及预设的健康等级门限值，确定所述空白存储单元的健康等级。

结合第一方面或第一方面的第一种至第三种中任何一种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中，所述空白存储单元包括下述存储单元中的至少一个：页Page、块Block或面Plane。

第二方面，本发明提供一种存储装置，所述存储装置的空白存储单元的健康等级至少分为三级，所述存储装置包括：选择模块，用于根据待存储数据的大小在存储装置中选择空白存储单元；处理模块，用于根据与所述空白存储单元的健康等级对应的编码方式对所述待存储数据进行编码处理，以获得所述数据的校验数据，其中所述健康等级用于指示所述空白存储单元在保证存储的数据可靠性的基础上能够存储的数据的大小；存储模块，用于将所述数据以及所述校验数据存储在所述空白存储单元中。

在第二方面的第一种可能的实现方式中，所述空白存储单元至少包括第一空白存储单元以及第二空白存储单元，其中所述第一空白存储单元的健康等级高于所述第二空白存储单元的健康等级；所述存储模块具体用于将所述数据以及所述校验数据分别存储到第一空白存储单元以及第二空白存储单元中，且所述第一空白存储单元的校验区中存储有存储于第二空白存储单元的数据区中数据的校验数据。

结合第二方面或第二方面的第一种可能的实现方式，在第二方面的第二种可能的实现方式中，所述存储装置还包括确定模块，所述确定模块用于确定所述空白存储单元的健康等级。